相位式TOF深度探测器的像素设计与优化.pdf

相位式TOF深度探测器的像素设计与优化 摘 要 最近几年，3D 成像技术正成为智能传感器领域最为热门的研究方向之一， 特别是苹果公司发布配备有散斑结构光进行3D 人脸建模和解锁的iPhoneX 后， 3D (Indirect 掀起了国内外厂商对新一代 成像技术的研究热潮。相位式飞行时间法 Time-Of-Flight，I-TOF)是新一代3D 成像技术的一个分支，其采用CCD/CMOS 图像传感器配合周期性调制激光进行探测，伴随着CMOS 图像传感器工艺 CMOSImageSensor CIS （ ， ）的飞速发展和改善，相位式飞行时间法相较于其 他3D成像技术，比如双目立体视觉(StereoVision)、结构光(StructuredLight)和直 接式飞行时间法(DirectTime-Of-Flight，D-TOF)在抗强环境光干扰、探测距离、 有效特征点量级、模组基线限制、系统集成度及成本上有一定的优势。所以在移 动终端、自动驾驶、工厂机器人、安防领域、虚拟现实（VirtualReality，VR） 对其有巨大的市场需求。 I-TOF 2D CMOS 由于 的像素结构与 成像的 传感器有所不同，且应用在高频 率调制光下，对像素性能要求较为苛刻，其像素好坏会很大程度地决定深度测量 的精度，因此需要不断改进工艺和迭代设计去进行优化像素。 本文基于SentaurusTCAD搭建的像素仿真平台上设计了一种相位式TOF深 度探测器的像素结构，对该像素进行工艺仿真和器件结构生成和器件仿真，分析 相位解调效果，并采用中芯国际 130nm1P4MCIS 工艺进行流片验证，经过流 片后的测试和结果分析，本文提出的这种I-TOF 像素结构可以正常实现深度探测 功能，验证了相位式飞行时间法在CIS 上的可行性。 针对目前标准工艺下的像素存在不足之处，对像素提出了三个优化方案并在 仿真平台上验证： （1）两次N 型注入形成双N 掩埋层提高长波段的吸收效率。 （2）设计非均匀沟道掺杂，优化转移路径电势提高电荷转移效率和解调对 比度。 （3）设计深沟槽隔离减轻红外电学串扰。 与标准工艺的像素性能比对分析，仿真结果表明优化后的像素在长波段的吸 I 相位式TOF深度探测器的像素设计与优化 收效率提升了10%左右，解调对比度在40M、850nm 的红外调制光入射下提升 至26.09%，并且在4um 的深沟槽工艺下像素间的红外电学串扰下降了43.34%。 本文搭建的I-TOF像素仿真平台为今后进行I-TOF像素设计和工艺优化提供 一套较为高效的解决方案，并且提出的I-TOF 像素结构经过流片验证了其可实现 深度探测功能，然后针对目前标准工艺的不足提出了优化像素性能的三种工艺优 化方案，仿真结果证明本文所采取的优化能有效提升I-TOF 深度探测器的关键参 数，为后续进行工艺优化的流片打下坚实的基础。 关键词：3D成像; 相位式飞行时间法; 深度探测器; 像素性能; 调制对比度; II ThedesignandoptimizationofthepixelofIndirectTime-Of-FlightRangeImagers Abstract Over the past few years, Range imaging systems for three-dimensional vision have become one of the most popular research directions in Smart CMOS Image Sensors.EspeciallyafterApplereleasedtheiPhoneXwithStructuredLightfor3D facemo