《固体电子学》第4章半导体中的载流子-2.pptx

第四章 半导体中的载流子;4.1.3 杂质电离能与杂质补偿;类氢模型; 杂质电离能可写为：;浅能级：电离能很小，距能带边缘（导带底或价带顶）很近的杂质能级。 深能级：电离能较大，距能带边缘较远，而比价接近禁带中央。;杂质补偿; 杂质补偿作用：半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，施主和受主之间相互抵消的作用。;§4.2 半导体中的载流子浓度; 在绝对零度时：;波尔兹曼（Boltzmann）分布函数; ;4.2.2 平衡态下的导带电子浓度和价带空穴浓度;导带电子浓度为：; 作积分变换，将积分上限推至无穷大：; 同理，对价带而言，;4.2.3本征载流子浓度与费米能级; 对于本征半导体，n=p，记为ni：;在热平衡态下，利用 n=p求费米能级：;EF还可写成下式;4.2.4杂质充分电离时的载流子浓度;?;如果材料中同时掺入了施主和受主，根据补偿原理，需要比较两种杂质的多少。;则：;4.2.5杂质未充分电离时的载流子浓度;1 仅掺施主的N型半导体; 上式简化为： x(1+2?x)=ND/NC; 温度较低，杂质电离很弱，电子浓度很低。 温度升高，杂质较多电离，电子浓度迅速增加。 温度继续升高，杂质全部电离，多数载流子浓度随温度基本不变。（饱和区） 不同掺杂浓度饱和温区的范围不同。 温度继