《固体电子学》第5章PN结.pptx

第五章：PN结 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层PN结§5.1 PN结及其能带图5.1.1 PN结的制备 合金法、扩散法、生长法、离子注入法或硅片直接键合法等。单边突变结P+N PN结的杂质分布一般可以归纳为两种情况：突变结和线性缓变结。5.1.2 PN结的内建电场与能带图 与电场对应着电势分布V(x),正电荷侧（N区侧）电势较高，负电荷侧（P区侧）电势较低。 取p区电势为零，则势垒区中一点x的电势V(x)为正值。越接近N区，电势越高，势垒区边界xN处的电势最高为VD。电子的附加势能为-qV(x)，造成电子的总能量随x变化。 附加电势能使导带底或价带顶随空间弯曲。靠近N区侧的电势较高，附加势能较低，因此电子能带从P区到N区下降弯曲。 势垒高度为P区和N区接触前的费米能级之差： 令nN0、nP0分别表示N区和P区的平衡电子浓度，则有：? VD与PN结两边的掺杂浓度、温度、材料的禁带宽度有关。在一定温度下，掺杂浓度越高，接触电势差VD越大；禁带宽度越大，ni越小，VD也越大，所以Si PN结的VD比Ge PN结的VD大。5.1.3 PN结的载流子分布? 对非简并材料，点x处的电子浓度：?所以，点x处的电子浓度可以表示为：同理，点x处的空穴浓度： 同一种载流子在势垒区两边的浓度关系服从玻尔兹曼分布函数的关系。 设势垒高