N离子注入ZnO的p型导电机制及光电特性研究.pdfVIP

重庆大学硕士学位论文 中文摘要 摘 要 ZnO 是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，具有优异的光电特性，其激子束 缚能高达60 meV，在短波长光电器件方面有着巨大的应用潜力。实现ZnO 在短波 长光电子器件中的应用，需要同时制备出高质量的n 型和p 型ZnO 。由于ZnO 存 在大量的本征缺陷以及杂质的自补偿效应，导致n 型ZnO 容易获得，而p 型ZnO 则难以实现。近几十年来，世界各国研究者将大量的精力投入到ZnO 的p 型掺杂 研究中，并取得了显著进展。然而，目前人们对p 型ZnO 的受主微观形态及其形 成过程，还没有清晰的认识，获得p 型ZnO 的导电性及稳定性也不能满足器件的 实际要求。 N 由于其离子半径及电负性与O 极为相近，被认为是实现p 型ZnO 最合适的 受主掺杂元素。本论文以N 掺杂ZnO 为研究对象，采用N 离子注入ZnO 薄膜/单 晶，并通过退火实现有关缺陷的调控，借助 XRD、Hall、Raman、XPS 、SIMS、 PL、EPR 等测试手段，研究N 离子注入及不同退火条件下ZnO 薄膜/单晶的微观 结构、导电特性、发光特性及N 在ZnO 中的掺杂浓度和掺杂形态，深入分析了N 掺杂ZnO 的p 型导电机制，取得了如下主要结果： (1)采用快速退火工艺将 ZnO 薄膜分别在N2 、O2 和金属锌气氛下退火，结果 发现：ZnO 薄膜的载流子浓度在N2 中退火后无明显变化，在O2 中退火后降低了 一个量级，而在Zn 蒸汽气氛下退火后增加了两个量级；同时，结合光致发光(PL) 和电子顺磁共振(EPR)测试发现：锌空位(VZn)是 ZnO 薄膜的载流子的主要补偿缺 陷，而间隙锌(Zn )与氧空位(V )结合形成的复合缺陷是未掺杂ZnO 薄膜呈现n 型 i O 导电的主要施主来源。 (2)在N 气氛中对不同N 离子注入剂量的ZnO薄膜进行了不同温度的退火处理， 2 16 -2 o o 注入剂量为5×10 cm 的样品在850 C-900 C 的退火温度下实现了p型导电，当退火 o 温度为900 C时，N掺杂ZnO薄膜表现出最佳的p型导电性能，且在三个月后，空穴 浓度也无明显降低。借助Raman、XPS和低温PL等测试手段，探究了N 掺杂ZnO薄 膜的p型导电机制。实验结果表明，位于价带顶上方161 meV的浅受主能级归因于 V -N 受主复合体，退火过程中V -N 受主复合体的形成和Zn 相关的浅施主缺陷 Zn O Zn O i 的消除是N掺杂ZnO薄膜实现p型导电转变的原因。 16 -2 (3)在N2 气氛中对N 离子注入剂量为1×10 cm 的ZnO 单晶块体进行了不同 温度的退火处理。研究表明退火处理可以一定程度恢复由离子注入引起的晶格紊 乱，但N 在ZnO 中的浓度随着退火温度的升高而降低。与纯的ZnO 单晶块体相比， 退火处理后的样品的低温PL 光谱中出现位于3.105 eV 和3.220 eV 的两个主要的 I 重庆大学硕士学位论文 中文摘要 发光峰。前者归因于从导带到Zn 空位(VZn)受主能级的电子跃迁，而后者归因于施 主-受主对(DAP)的复合。实验结果表明，适当的退火处理可以诱导N 掺杂ZnO 材 料形成更多的有效受主(NO)和VZn 本征受主，VZn 与NO 的共同作用将导致ZnO 材 料导电类型的转变。 关键词：ZnO ；N 掺杂；离子注入；退火；p 型导电机制 II 重庆大学硕士学