东华大学 电子材料 期末 考试 复习 试卷.docVIP

●电子绕原子核运动，各层之间的能量差是量化的。当两个原子靠近时，原子上的电子会产生相互作用，电子运动的波函数发生交叠，由于相位差分裂成两个能级。如果多个原子排列组成晶体，参与的原子多，电子为晶体共有，分裂的能级多，可看做连成一条带，电子只能在允许的特定能量相同的量子态之间转移，各层电子形成各自的能带。 ●磁泡：当外加偏磁场方向垂直于薄片时，利于磁化方向一致的磁畴扩张，磁化方向相反的磁畴逐渐缩小，当磁场强度增至某一临界值时，与磁化方向相反方向上的磁畴便缩成圆柱状。这种圆柱状磁畴垂直方向看就像泡泡。当外加偏磁场强度继续增大，则圆柱状的磁畴就会进一步缩小以致消失。磁泡受控于外加磁场，在特定的位置上出现或消失，而这两种状态正好和计算机中二进制的1,0相对应，因此可用于计算机的储存器。 ●铁电：铁电体在一定温度范围内存在自发极化现象，其极化方向可随驱动电场的变化而反转，且显示出有电滞回线特征。这就具备了作为储存器的基本条件。铁电存储主要是基于铁电膜玻材料具有电滞回线。在半导体芯片上，铁电电容器作为不挥发存储单元，插在晶体管和金属层之间，在铁电薄膜上施加电压，如果将大于矫顽场电压Vc的正电压加到铁电电容器上，则薄膜在正方向极化且极化强度为饱和极化强度Psat，当移去电压，极化强度慢慢减为生育极化强度Pr，此时定义这正极化强度下记录数据为0，反之得到电压消除后的-Pr定义为1，当电压消除时，数据