模电第一章练习习题.docxVIP

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2020-09-13 发布于天津
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模电第一章练习习题.docx

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第一章题解第一章题解第一章题解第一章题解第一章常用半导体器件自测题一判断下列说法是否正确用和表示判断结果填入空内在型半导体中如果掺入足够量的五价元素可将其改型为型半导体因为型半导体的多子是自由电子所以它带负电结在无光照无外加电压时结电流为零处于放大状态的晶体管集电极电流是多子漂移运动形成的结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压才能保证其大的特点若耗尽型沟道管的大于零则其输入电阻会明显变小解二选择正确答案填入空内结加正向电压时空间电荷区将变窄基本不变变宽稳压管的稳压区是其工作在正

第一章题解— 第一章题解— PAGE # 第一章题解— 第一章题解— PAGE # 第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X”表示判断结果填入空内。 (1 )在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。(V ) 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(X ) PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(V ) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (X ) 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。(V ) (6 )若耗尽型N沟道MOS管的U gs大于零，则