专用集成电路设计-2010(2)详细版.pptVIP

* 第三章 MOS集成电路器件基础 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构 及符号 3.2 MOS管的电流电压特性 ;.; * 预期MOS管有什么特性： 右图是NMOS管的符号，图中表示三个端口：栅（G）、源（S) 、漏（D）。如果栅电压UG是高电平晶体管的源漏导通，如果栅电压为低电平，则漏源断开。 即使这样简单的描述，我们还需要回答几个问题： UG多大时器件导通？换句话说，阈值电压多少？当器件导通或断开时，漏源之间的电阻多大?这个电阻和端电压之间的关系是怎样？ ;.; * 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号 3.1.1 NMOS管的简化结构如图3 - 1所示 该器件制作在P型衬底上，两个重掺杂N区形成源区和漏区， 重掺杂多晶硅区作为栅极， 一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底的隔离。 在栅氧下的衬底表面是导电沟道。 图3 - 1 NMOS管的简化结构 ;.; * 由于源漏结的横向扩散， 栅源和栅漏有一重叠长度为LD， 所以导电沟道有效长度(Leff)将小于版图中所画的导电沟道总长度，用L表示。 W表示沟道宽度。 宽长比(W/L)和氧化层厚度tox这两个参数对MOS管的性能非常重要。 MOS技术发展中的主要推动力就是在保证电性能参数不下降的前提下， 一代一代地缩小沟道长度L和氧化层厚度tox。 ;.; * (a) PMOS管 (b) NMOS管 3.1.2 N阱及PMOS 为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直于衬底的额外电流，源、漏以及沟道和衬底间必须形成反偏的PN结隔离。 因此，NMOS管的衬底B必须接到系统的最低电位点(例如“地”)， 而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最高电位点(例如正电源UDD)。 衬底的连接如图3 - 2所示。 图3 - 2 衬底的连接 ;.; * 但互补型CMOS技术中NMOS和PMOS要做在同一晶片，即同一衬底上。因此必须为某一器件做一个称之为“阱(Well)”的“局部衬底”。 通常把PMOS器件做在N阱中，同时N阱要接一定电位，通常高电位UDD，以保证PMOS的漏源结保持反偏。 图3 - 3 互补型CMOS管N阱中的PMOS ;.; * 3.1.3 MOS管常用符号 图3 - 4 MOS管常用符号 ;.; * ２．工作原理 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 栅源电压uGS的控制作用 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ;.; * 阈值电压（回答第一个问题： UG多大时器件导通？换句话说，阈值电压多少？ ）以NMOS为例。 3.2 MOS管的电流电压特性 （C） 随着UG增大，经历： a）初始； b）耗尽； c）反型。 形成沟道所对应的电压UG称为阈值电压。 UG UG UG ;.; * 图3-5给出增强型NMOS管和PMOS管工作在恒流区的转移特性， 其中UTHN(UTHP)为开启电压， 即阈值电压。 PMOS的导通现象类似于NMOS，但其所有的极性都是相反的。栅源电压足够“负”，在氧化层和N 衬底表面就会形成一个由空穴组成的反型层。 图3 - 5 MOS管的转移特性 3.2.1 MOS管的转移特性 ;.; * NMOS阈值电压UTHN的定义为界面反型层的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅极电压。 UTHN与材料、 掺杂浓度、 栅氧化层电容等诸多因素有关。 还可以通过向沟道区注入杂质， 从而改变氧化层表面附近的衬底掺杂浓度来控制阈值电压的大小。 沟道区 ;.; * 增强型MOS和耗尽型MOS UGS 增强型：在UGS=0时，漏源之间没有导电通道，在达到一定值时才有导电电流。 耗尽型：在UGS=0时，漏源之间就有导电通道。在制造过程中，在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子。在UGS=0时，在这些正离子的作用下，P型衬底表面已经出现反型层，即存在导电沟道。 SiO2 ;.; * 3.2.2 MOS管的输出特性 增强型NMOS输出特性如下图 3-6。栅压UGS超过阈值电压UTHN后，开始出现电流且栅压UGS越大，漏极电流也越大的现象，体现了栅压对漏极电流有明显的控制作用。 漏极电压UDS对漏极电流ID的控制作用基本上分两段，即线性区和饱和区。为了不和双极型晶体管的饱和区混淆，将MOS管的饱和区称为恒流区。线性区和恒流区是以预夹断点的连线为分