4.4.2 电子轰击CCD——EBCCD光电成像原理与技术.pdf

4.4 特殊CCD结构 4.4.2 电子轰击CCD——EBCCD 电子轰击CCD——EBCCD 背照明CCD(BCCD)技术 BCCD通过背面照明来收集电荷，成像光子不需要通过多晶硅门电极进入CCD ， 克服了前照明CCD的性能限制。 ☺量子效率高：在可见区内可达90% ，约为GaAs光阴极量子效率的500%。 ☺成像分辨力高－成像过程: 光子→电子, 成像环节少； ☺宽光谱响应： ☺在850-1000nm 内仍有很好的响应，而GaAs光阴极在900-1000nm 内几乎无响 应。 ☺在紫外和软X射线区域也接收辐射，带有抗反射涂层的背照明CCD在200nm 波长处具有接近50%的量子效率，而前照明CCD的电极吸收了几乎所有的紫 外光。 电子轰击CCD （EBCCD）技术 Electron bombardment CCD •成像过程: 光子→光电子→电子 • 用背照明CCD替换了像管中的荧光屏！ • 也可理解为用背照明CCD替换了硅增强靶摄像管中的硅靶！ 电子轰击CCD （EBCCD）技术 • 高增益：管电压为10kV 时，增益为2000 ～3000,足以削弱或抵消 CCD芯片上的噪声源(300个电子); • 单级EBCCD像管的阈值照度值约为5 ×10-5lx,为使它能与带 MCP 的二代管的 ICCD竞争，可在EBCCD前耦合一代管，变成像增强 -6 I-EBCCD ，使输入照度降到(5~ 10) ×10 lx 。 光阴极 CCD 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） 电子轰击CCD （EBCCD）技术 ☺高灵敏度，高增益，低暗电流 ☺结构较ICCD紧凑 工作寿命短！CCD在高速电子轰击下会产生 辐射损伤，从而导致暗电流、漏电流增加，转 移效率下降。 EBCCD实物图 摄像器件依然离不开真空环节！ 应用于夜视电视摄像，皮秒条纹相机以及高能物理光纤探测器、 天文观察等领域。 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） ICCD和EBCCD的比较 • EBCCD 由于理想的增益机构及极好的MTF特性，可在10-5lx以下的 照度环境工作，实现微光成像。 • EBCCD较ICCD在低照度下具有更好的信噪比、图像传递特性。