4.3.2 CCD的物理性能光电成像原理与技术.pdf

4.3 CCD的结构及传输原理 4.3.2 CCD的物理性能 CCD的物理性能 CCD的物理性能 • 开启电压 • 满势阱时信号电荷的容纳量 • 工作频率 • 转移效率 • 噪声 • 暗电流 • 功耗 CCD的物理性能 • 开启电压V ：产生沟道所需的栅压，与SiO 层的电容有关，SiO th 2 2 层越厚，该电容越小，开启电压越大。—— SiO 层的厚度要适当。 2 开启电压还与金属-硅的功函数差、SiO 层中的固定的和可动的电 2 荷及衬底的掺杂浓度等因素有关。 • 满势阱时信号电荷的容纳量：SCCD由SiO 层电容及相邻电极电 2 位差决定；BCCD沟道越深，存贮能力越低。 CCD的物理性能 • 工作频率 • 下限：因CCD工作在非稳态，故工作频率有下限，如少子寿命为τ ， e 转移所需时间为t ，时钟周期为T ，对于三相CCD需使： r T 1 1 t  t f  r e r c1 3 3f c1 3e • 上限：因CCD电极有一定长度，电荷转移需要一定时间，加之CCD 存在界面态，故工作频率有上限 • 如转移所需时间为t ，时钟周期（CP)为T ，对于三相CCD需使： r T 1 1 tr  f c 2  3 3f c 2 3tr 1 • 要求界面态俘获载流子的时间τ 小于T/3 ，即 f c 2  c 3 c CCD的物理性能 • 转移效率η：转移到相邻势阱中的电荷与原势阱中的电荷之比 • CCD一次电荷转移损失率为ε(t) ，转移效率与转移损失率之和为1 n Q(t) 1 cp (t) 100%  i Q(0) ncp i 1 • 如电荷在CCD中经过多次转移，则总转移效率为： ε越大，转移次数n越多，则信号