7.2 集成化元器件的工艺特点(4-6).pdf

集成化元器件的工艺特点 4/117 7.1 集成化元器件的工艺特点 1. 集成电路特征：将有源器件、电阻、小电容及电 路连线等都集中在一块半导体基片上，然后封装在一个“管壳” 内形成的一个完整的电路和系统。 5/117 2.集成电路中集成化元件类别 ① 集成二极管 ② 集成三极管 ③ 集成MOS管 ④ 集成电阻 ⑤ 集成电容 6/117 3.集成化元件的特点 (1) 电容元件一般用PN结的结电容或MOS管电容来制作，一般 的容量小于100PF。不能制造大电容，因此在集成电路中通常 采用直接耦合方式，不采用阻容耦合、变压器耦合方式。 (2) 电阻元件可由半导体的体电阻构成，阻值越大，占用的硅 片面积越大，通常的电阻范围为几十 ~20k。高阻值的电阻 多用半导体三极管等构成的有源电阻代替或外接。 (3)半导体元器件温度特性较差，通常同一块基片上相邻的元 件具有同相偏差，它们的比值误差较小，匹配性好，对称性 也好，因此集成电路大量采用比值电路和对称电路。 （4 ）目前的集成工艺还不能制作电感