霍尔效应及磁阻测量实验报告.pdfVIP

霍尔效应及磁阻测量实验报告 1.实验目的 （1）．了解霍尔效应实验及霍尔副效应产生原理 （2 ）．掌握霍尔系数的测量方法，学习消除霍尔副效应的实验方法 （3 ）．研究半导体材料的电阻值随磁场的变化规律 2.实验原理 （1）.霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起 的偏转。当带电粒子( 电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导 致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横 向电场，即霍尔电场。 对于图1 （a ）所示的N型半导体试样，若在X方向通以电流1s，在Z方向 加磁场B，试样中载流子 （电子）将受洛仑兹力 FB = eB （1） 则在Y方向即试样A 、电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电 场一霍尔电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对N型试样，霍尔 电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，有： Is (X)、 B (Z) EH (Y) 0 (N型) EH (Y) 0 (P型) 显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受