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1 晶体管工作在放大区时， 发射结为 ____ ，集电结为 ____，工作在饱和区时， 发射结为 ____， 集电结为 ____。 A、正向偏置， B 、反向偏置 ， C 、零偏置 [ 答案 ] A|B|A|A 2 N 型半导体是在纯净半导体中掺入  ____； P 型半导体是在纯净半导体中掺入  ____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等 ， D 、五价元素，如磷等 [ 答案 ] D|C 3 当 PN结外加正向电压时， 扩散电流  漂移电流， 耗尽层  ；当 PN结外加反向 电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A、大于， B 、小于， C、等于， D 、变宽， E 、变窄， F 、不变 [ 答案 ] A|E|B|D 4 在保持二极管反向电压不变的条件下，  二极管的反向电流随温度升高而  ____；在保持二极 管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而 ____。 A、增大 ， B 、减小， C 、不变 [ 答案 ] A|B 5 某二极管反向电压为  10V 时，反向电流为  μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高 10℃，反向电流大约为 ____。 A、 0.05 μA， B 、 0.1 μ A， C 、0.2 μA， D 、 1μ A [ 答案 ] C 6 在如图所示的电路中，当  V＝3V 时，测得 I ＝ 1mA，  。 1．当 V 调到 6V，则 I 将为 ____。 A、 1mA， B 、大于 1mA，但小于 2mA C 、 2mA， D 、大于 2mA 2．保持 V＝ 3V 不变，温度升高 20℃，则 将为 ____。 A、小于 0.7V ， B 、 0.7V 不变， C 、大于 0.7V [ 答案 ] D|A 7 电路如图所示，  ，当直流电源电压 V 增大时， 二极管 VD的动态电阻 将____ 。A、增大，  B 、减小，  C 、保持不变 [ 答案 ] B 1 8 在某放大电路中， 测得晶体管的三个电极①、 ②、③的流入电流分别为－ 1.22mA、0.02mA、 1.2mA。由此可判断电极①是 ____，电极②是 ____ ，电极③是 ____（ A、发射极， B、基极， C 、 集电极）；该晶体管的类型是 ____（ A、PNP型 ，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系 数约为 ____（A、 40 ，  B 、 60 ，  C、 100） [ 答案 ] A|B|C|B|B 9 填空： 双极型晶体管从结构上可以分成  ________________ 和 ________________ 两种类型，工作时有 ________________ 和_________________两种载流子参与导电。场效应管从结构上可以分成________________ 和________________ 两大类型，因导电沟道的不同每一大类又可分为________________ 和________________ 两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于________________ 载流子的运动。 [ 答案 ] NPN PNP 多子（自由电子） 少子（空穴） 结型 绝缘栅型 N 沟道 P 沟道 多数 10 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流  _____；绝缘栅型场效 应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 ____。 [ 答案 ] An 小 小 11 双 极 型 晶 体 管 的 发 射 极 电 流 放 大 系 数  反 映 了 ________________ 极 电 流 对 ________________ 极电流的控制能力；而单极型场效应管常用 ________________ 参数反映 ________________ 对________________ 的控制能力。 [ 答案 ] 基 集电 跨导 gm 栅源电压 漏极电流 12 已知某晶体管的 PCM＝ 150mW， I CM＝ 50mA,， ＝ 60V。若该管子在电路中工作电压 UCE＝ 10V，则工作电流 I C 不应超过 _______________mA；若工作电压 U ＝ 1V，则工作电流 I C 不 应 超 过 _______________mA； 若 工 作 电 流 I C ＝ 1mA， 则 工 作 电 压 uCE 不 应 超 过 _______________V；若工作电流 I C＝ 10mA，则工作电压 UCE不应超过 _______________V。 [ 答