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光电成像系统 ［教学目得 ] 1、掌握 CCD得结构与工作原理、光电成像原理、光电成像光学 系统 ; 2、了解微光像增强器件与纤维光学成像原理。 ［教学重点与难点］ 重点： CCＤ得结构与工作原理、光电成像原理、光电成像光学系 统得组成。 难点： CCD得结构与工作原理、调制传递函数得分析。 成像转换过程有四个方面得问题需要研究 : 能量方面 - —物体、光学系统与接收器得光度学、 辐射度学性质， 解决能否探测到目标得问题 成像特性 ——能分辨得光信号在空间与时间方面得细致程度 , 对 多 光谱成像还包括它得光谱分辨率 噪声方面 ——决定接收到得信号不稳定得程度或可靠性信息传递速率方面 ( 成像特性、噪声 - —信息传递问题 , 决定能被传递得信息量大小） 光源 光 光 光 信 信 信 信 信 号 号 号 号 号 物体 传输介质 光学系统 光电摄像器件 显示器 人眼 ( 信号源 ) ( 信号分析器 ) ( 信号变换器 ) 背 背 噪 噪 景 景 声 声 噪 噪 声 声 光电成像器件就是光电成像系统得核心。 §1 固体摄像器件 固体摄像器件得功能 : 把入射到传感器光敏面上按空间分布得光强信息 ( 可见光、红外辐射等 ) ，转换为按时序串行输出得电信号——视频信号 , 而视频信号能再现入射得光辐射图像。 固体摄像器件主要有三大类 : 电荷耦合器件 (Charge Cou ｐl ｅd Deｖic ｅ，即 CCD） 互补金属氧化物半导体图像传感器（即 CMＯS) 电荷注入器件（ Charge I ｎjen ｃｔ ion Device, 即Ｃ ID） 一、电荷耦合摄像器件 电荷耦合器件（Ｃ CD）特点）— - 以电荷作为信号CＣD得基本功能——电荷存储与电荷转移 CCD工作过程——信号电荷得产生、存储、传输与检测得过程 电荷耦合器件得基本原理 (1) 电荷存储 构成 CCD得基本单元就是 MＯS（金属—氧化物—半导体 ) 电容器电荷耦合器件必须工作在瞬态与深度耗尽状态 (2 ）电荷转移 以三相表面沟道 CＣD为例 表面沟道器件，即Ｓ CＣD（Ｓ uｒf ａce Ch ａnｎel C ＣD)——转移沟道在界面得Ｃ CＤ器件 体内沟道（或埋沟道 CCD) 即 BCCD(Bulk or Ｂｕ r ｉｅ d Channel CCＤ）——用离子注入方法改变转移沟道得结构 , 从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部，形成体内得转移沟道 , 避免了表面态得影响，使得该种器件得转移效率高达 99、999％以上 , 工作频率可高达 100MHｚ，且能做成大规模器件 电荷检测 浮置扩散输出 CCD输出信号得特点就是：信号电压就是在浮置电平基础上得负 电压；每个电荷包得输出占有一定得时间长度 T。；在输出信号中叠加有复位期间得高电平脉冲。 对Ｃ CD得输出信号进行处理时 , 较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。 电荷耦合摄像器件得工作原理 CCD得电荷存储、转移得概念 + 半导体得光电性质—— CＣD 摄像器件 按结构可分为线阵 CCD与面阵 CＣＤ 按光谱可分为可见光 CCD、红外 CＣD、X 光ＣＣＤ与紫外 CCD 可见光 CＣD又可分为黑白 CCD、彩色 CCＤ与微光 CCD 1) 线阵 CCＤ 线阵ＣＣＤ可分为双沟道传输与单沟道传输两种结构 （２）面阵 CCD 常见得面阵ＣＣＤ摄像器件有两种 : 行间转移结构与帧转移结 构。 二、电荷耦合摄像器件得特性参数 1、 转移效率 电荷包从一个栅转移到下一个栅时 , 有部分得电荷转移过去，余下部分没有被转移 , 称转移损失率。 一个电荷量为得电荷包，经过 n 次转移后得输出电荷量应为 : 总效率为 : 2、 不均匀度 光敏元得不均匀与 CCD得不均匀。 本节讨论光敏元得不均匀性 , 认为 CＣD就是近似均匀得，即每次转移得效率就是一样得。 光敏元响应得不均匀就是由于工艺过程及材料不均匀引起得， 越就是大规模得器件 , 均匀性问题越就是突出 , 这往往就是成品率下降 得重要原因。 定义光敏元响应得均方根偏差对平均响应得比值为 CCD得不均匀度 : 式中为第ｎ 个光敏元原始响应得等效电压， 为平均原始响应等效电压； N为线列 CＣD得总位数。 由于转移损失得存在 ,CCD 得输出信号与它所对应得光敏元得原始响应并不相等。根据总损失公式 , 在测得后，可求出 : 式中Ｐ就是 CCD得相数 ３、 暗电流 CD 成像器件在既无光注入又无电注入情况下得输出信号称暗信号，即暗电流。 暗电流得根本起因在于耗尽区产生复合中心得热激发。 由于工艺过程不完善及材料不均匀等因素得影响 ,CCD 中暗电流 密度得分布就是不均匀得。 暗电流得危害有两个方面 : 限制器件得低频限、引起固定图像噪 声