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第三讲 半控型电力电子器件—晶闸管 3.1 概述 晶闸管 （ Thyristor ）：晶体闸流管，可控硅整流器（ Silicon Controlled Rectifier —— SCR）。 1956 年美国贝尔实验室（ Bell Lab ）发明了晶闸管； 1957 年美国通用电气公司（ GE）开发出第一只晶闸管产品； 1958 年商业化 , 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代； 20 世纪 80 年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代； 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管广义上讲，晶闸管 还包括其许多类型的派生器件。 外形有螺栓型和平板型两种封装： 引出阳极 (Anode)A 、阴极 (Kathode)K 和门极 (Gate) （控制端） G 三个联接 端。 对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与 散热器 (Radiator) 紧密联接且安装方便； 平板型封装的晶闸管可由两个 散热器 (Radiator) 将其夹在中间。 A G K K P1 J1 K N 1 G J2 G P2 J3 A N 2 A A G K a) b) c) 1 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 3.2 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管可用如图 2 所示的等效电路来表示。 I C1 1 I A I CBO 1 （ 1） I C2 2 I K I CBO 2 （ 2） I K I A I G （ 3） 1 / 8 I A I C1 I C 2 （ 4） 式中 1 和 2 分别是晶体管 1 和 2 的共基极电流增益； I CBO1和 I CBO2分别是 1 和2 a a V V V V 的共基极漏电流。由以上式（ 1-1 ）～（ 1-4 ）可得 I A 2 I G ICBO1 ICBO2 （ 5） 1 ( 1 2 ) A A P1 I A PNP N 1 N1 V 1 Ic2R G IGI c1 GP2 P2 V 2 N2 S NPN E EG I K K K a) b) 2 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 双晶体管模型 b) 等效电路 晶体管的特性是：在低发射极电流下 a 是很小的，而当发射极电流建立起 来之后， a 迅速增大。 阻断状态： I G=0， a1 +a2 很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和； 开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致 a1+a2 趋近于 1 的话，流过晶闸管的电流 I A（阳极电流）将趋近于无穷大， 实现饱和导通。 I A实际由外电路决定。 其他几种可能导通的情况 ： 1） 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应； 2） 阳极电压上升率 du/d t 过高； 3） 结温较高； 4） 光直接照射硅片，即 光触发， 光触发可以保证控制电路与主电路之间 的良好绝缘而应用于高压电力设备中之外，其它都因不易控制而难以应用于实 践，称为光控晶闸管 （Light Triggered Thyristor —— LTT）。只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段 3.3 晶闸管的基本特性 3.3.1 静态特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通； 2 / 8 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用； 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 晶闸管的阳极伏安特性 是指晶闸管阳极电流和阳极电压之间的关系曲线，如图 3 所示。其中：第 I 象限的是正向特性；第 III 象限的是反向特性 IA 正向 导通 URSM URRM IG2 IG1 IG=0 IH - O UDR M Ubo +UA UA UDSM 雪崩 击穿 - IA 图 3 晶闸管阳极伏安特性 I I I G2 G1 G I G=0 时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向 转折电压 Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。这种开通叫 “硬开通” ，一般不允许硬开通； 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低； 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿； 晶闸管本身的压降很小，在 1V 左右； 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值 I H 以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。 I H称为维持电流 。 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性；阴极是晶闸管主电路与控制电路的公共端； 晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出，门极触发电流也往往是通过触