半导体中的载流子在电磁场中的运动.pptxVIP

第四章半导体中的载流子在电磁场中的运动●载流子的漂移运动和迁移率 ●载流子的散射●迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 ●强电场效应●霍尔效应●磁阻效应§4.1 载流子的漂移运动和迁移率 一、漂移运动和漂移速度外加电压时，半导体内部的载流子受到电场力的作用，作定向运动形成电流。漂移运动：载流子在电场力作用下的运动。漂移速度：载流子定向漂移运动的速度。二、欧姆定律 电流 I(A): 单位时间内通过垂直于电流方向的某一面积的电量。金属： —电子 半导体： E 为电场强度—电子、空穴 电流密度 J（A/m2): 通过垂直于电流方向的单位面积的电流。微分形式三、电导率 ? 的表达式 以柱形 n 型半导体为例，分析半导体的电导现象 设 ：Vdn和Vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度。AVdndtBdsVdnds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 Vdndt在dt 时间内通过ds的截面电荷量，就是A、B面间小柱体内的电子电荷量，即 其中 n 是电子浓度，q 是电子电荷 电子漂移的电流密度 Jn 为 在电场不太强时，漂移电流遵守欧姆定律，即 其中σ为材料的电导率 E 恒定，Vdn 恒定 E ?, J?, Vdn?平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其比值称为电子迁移率。因为电子带负电，所以Vdn一般应和 E 反向，习惯上迁移率只取正值，即单位场强下电子的平均漂移速度上式为电导率和迁移率的关系对于空穴，有 ：μn和μp分别称为电子和空穴迁移率， 单位为 cm2V-1s-1 对 n 型半导体： 对 p 型半导体 ：在饱和电离区： n 型，单一杂质： no=ND补偿型：no=ND－NAP 型，单一杂质：po=NA 补偿型：po=NA－ND 本征： §4.2 载流子的散射载流子散射：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射。载流子热运动示意图E散射几率 P : 单位时间内一个载流子受 到散射的次数。N0 为 t = 0 时没有遭到散射的电子数 时：平均自由时间 ?:其中2. 迁移率和电导率与平均自由时间的关系τ↑，μ↑m*↑,μ↓me* mP*,μnμP以Ge为例：导带极值有4个，即4个能谷或 4 个 旋转椭球等能面E?y′[111]zz’－在〔111〕方向， 与z轴夹角为θ[111]z′x′x’－在zz ’平面上， 并⊥z ’轴yxy’－同时⊥x ’轴和z ’轴推导电导有效质量示意图设导带电子浓度 no，一个能谷的电子形成的电流密度在 x?y?z? 中的分量一个能谷的电子在电场Ez方向形成的电流密度：→ 低温、掺杂浓度高电离的杂质在它的周围邻近地区形成库仑场，其大小为：vv电离受主散射电离施主散射＋+－–V?V?电离杂质散射示意图格波的波矢 q = 2?/?, 方向为格波的传播方向。一个晶体中具有同样 q 的格波不止一个，其数目取决于晶胞中的原子数。晶胞中有一个原子，则对应于每个 q 有3个格波。晶胞中有两个原子，则对应于每个 q 有6个格波。—波的传输方向与原子的振动方向相同横光学波金刚石晶格振动沿[110] 方向传播的格波的频率与波矢的关系纵?a纵声学波长波横q[110]○○○○○平衡时○○○○○振动时波的传播方向● 纵声学波12103456789平衡时????????????????????振动疏疏密纵声学波示意图膨胀状态--原子间距增大压缩状态—原子间距减小BEc导带AEg禁带Ev价带纵声学波 → 原子疏密变化 → Eg 变化 → 附加势 → 形变势纵声学波的散射几率Ps与温度的关系为： (3) 光学波的散射● 横波 ● 纵波● 纵波 12103456789平衡时??????????°°°°°°°°°°??????????°°°°°°°°°°?疏?密?疏－－+°密°疏°密离子晶体+ + +- + + + +- -+ + +- - -+- - - -+ - - -+ + +- + + + +- -+ + +- - -+- - - -+ - - -+ + +- + + + +- -+ + ++ - + - +极化场纵光学波离子晶体纵光学波的散射几率 Po: 格波散射几率 Pc 对原子晶体：主要是纵声学波散射； 对离子晶体：主要是纵光学波散射。 低温时，主要是电离杂质的散射； 高温时，主要是晶格散射。§4.3 迁移率和电导率随温度和 杂质浓度的变化 一、迁移率与温度和杂质浓度的关系 1. 不同散射机构μ的表达式 ● 纵声学波： ● 纵光学波● 电离杂质的散射 2. 实际材料μ的表达式 ● GaAs ● Si、Ge3. 影响μ的因素 (1) 温度的影响 ● 低温时，主要是电离杂