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四、芳环上亲电取代反应的定位规律
HNO3+H2SO4
no
2
定位基
50~60℃
CH
CH3
CH3
甲苯
HNO3+H2SO4
硝化
30℃
理论产率:40%20%40%
实际产率:58%
38%
4%
NO2
NO
NO2
NO
硝基苯
HNo3+H2SO4(发烟)
硝化
95~100℃
理论产率:40%
0%
40%
实际产率:64%0.3%93.3%
(一)定位规律
1、规律内容
(1)芳环上原有取代基决定新引入取代基的引入位置及反应活
性,环上原有的取代基叫定位基
(2)定位基大致可分为两类
第一类定位基:
又称郐、对位( ortho, para direction)定位基(一般邻、对位
产物60%)。第一类定位基一般使芳环活化(卤素除外)。
第二类定位基:
又称间位( meta direction)定位基(一般间位产物40%)。
第二类定位基总是使芳环钝化
2、常见定位基
常见第一类定位基(即邻对位定位基
烷氧基
0、一N(CH3)2-NH2-OH一OCH3
酰氨基
酰氧基
-NHCOCH -OCoCH -Ch -Ar
CH=CR2-X(Cl,Br,D等。
第一类定位基可使苯环活化(卤素除外)
第一类定位基中,与芳环直接相连的原子上的电子云
密度一般比较高,总体表现为供电子基(卤素除外)。
第一类定位基的结构特点:
a.带负电荷的离子。如:
b.与苯环直接相连的原子大多数都有未共用电子对,
且以单键与其它原子相连。如
C H
0C—CH
CH
c.与苯环直接相连的基团可与苯环的大丌键发生
丌超共轭效应或具有碳碳重键。如:
CH3C6H5CH=CH 2
常见第二类定位基(即间位定位基):总体表现为
吸电子基
n*(cH3
CF
oh
烷氧酰
氨酰基
CHO -COOH
CONH2等
第二类定位基的结构特点
使芳环钝化
a带正电荷的正离子。如:-N+(CH3)3、一+NH3。
b.与苯环直接相连的原子以重键与其它原子相连,且
重键末端通常为电负性较大的原子。如
练习1:指出下列物质取代反应的位置
-O-N(CH3)2-NHCH3 -NH2 C-OH=OCH3
NHCOCH3 -OCOCH3-C6Hs CH3(X
十
xCH3)3(NO,)-CCI3 --SO3H -COOH
ECHO
COCH -COOCH
CONH
2N列线反易OcH3
NHCOCHeH-OCPCH3 N6Hs ofH3 cHY
MG环3AEC1N图9QH产F0OH
GHO
OCH
CQQCH3
CON豆
6
二)定位规律的理论解释
(1)定位基对苯环的活化和钝化
①静态分析
定位基的存在,如果使芳环上的电子云密
度升高(和苯相比),则有利于芳环上的亲电
取代反应,使苯环活化(绝大多数邻、对位定
位基);反之,使苯环钝化(间位定位基和卤
原子)。
②动态分析
取代苯所形成的碳正离子与苯在同一反应中生
成的碳正离子相比,如稳定性较大,则取代基G使苯
环活化;如稳定性较小,则G使苯环钝化。
活化基团钝化基团
E
E
E
H
(2)引入位置的理论解释
①静态分析
如果邻、对位电子云密度较高,为第一类定位基
间位电子云密度较高,为第二类定位基
②动态分析
取代苯反应时,生成邻、间、对位取代产物的三
个反应是平行进行的,受定位基的影响,与三种产物相
应的三种碳正离子的稳定性不同,稳定性较大的碳正离
子,反应所需的活化能较小,反应速度较快,相应的产
物在总产物中所占的份额也较多,为主要产物。
G
原有取代基G是
邻、对位定位
基,则碳正离
子中间体(I)
和(ⅢI)比
(IV)稳定。
HE
E原有取代基G为
间位定位基,则
G
碳正离子中间体
H
(IV)比(Ⅲ)
E和(Ⅲ)稳定。
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