第五章 晶体中的缺陷.ppt

第五章 晶体中的缺陷 (crystal defects) 晶体的主要特征是其中原子（或分子）的规则排列， 但实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离严格的周期性， 于是就形成了晶体的缺陷，晶体中缺陷的种类很多，它影响着晶体的力学、 热学、电学、光学等各方面的性质。晶体的缺陷表征对晶体理想的周期结构的任何形式的偏离。 本章主要内容: 1、晶体缺陷的基本类型 2、热缺陷统计理论 3、缺陷的扩散 §5-1 晶体缺陷的基本类型(types of crystal defects) 一、点缺陷 (point defects) 二、线缺陷 (line defects) 三、面缺陷(face defects) 本节思路：介绍单晶体中基本的缺陷类型及其物理特征。 晶体缺陷的存在，破坏了完美晶体的有序性，引起晶体内能U和熵S增加。 按缺陷在空间的几何构型可将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，它们分别取决于缺陷的延伸范围是零维、一维、二维还是三维来近似描述。每一类缺陷都会对晶体的性能产生很大影响，例如点缺陷会影响晶体的电学、光学和机械性能，线缺陷会严重影响晶体的强度、电性能等。 一、点缺陷 (point defects) 1、点缺陷定义 （definition of point defect） 由于晶体中出现填隙原子和杂质原子等等，它们引起晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数的限度范围内，这类缺陷统称为点缺陷。这些空位和填隙原子是由热起伏原因所产生的，因此又称为热缺陷（thermal defect）。 2、空位、填隙原子和杂质(vacancy, interstitial atom and impurity) 空位(vacancy)： 晶体内部的空格点就是空位。 由于晶体中原子热运动，某些原子振动剧烈而脱离格点跑到表面上，在内部留下了空格点，即空位。 填隙原子 (interstitial atom) ??? ???? 由于晶体中原子的热运动，某些原子振动剧烈而脱离格点进入晶格中的间隙位置，形成了填隙原子。即位于理想晶体中间隙中的原子。 杂质原子(impurity)： 杂质原子是理想晶体中出现的异类原子。 3、几种点缺陷的类型(some types of point defect) 弗仑克尔缺陷（Frenkel defect)： ???????原子（或离子）在格点平衡位置附近振动，由于非线性的影响，使得当粒子能量大到某一程度时，原子就会脱离格点，而到达邻近的原子空隙中，当它失去多余动能后，就会被束缚在那里，这样产生一个暂时的空位（vacancy）和一个暂时的填隙原子(interstitial atom)，当又经过一段时间后，填隙原子会与空位相遇，并同空位复合；也有可能跳到较远的间隙中去。若晶体中的空位与填隙原子的数目相等，这样的热缺陷称为弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）。 肖特基缺陷（Schottky defect): 空位和填隙原子可以成对地产生(弗仑克尔缺陷），也可以在晶体内单独产生。若脱离格点的原子变成填隙原子，经过扩散跑到晶体表面占据正常格点位置，则在晶体内只留下空位，而没有填隙原子，仅由这种空位构成的缺陷称之为 肖特基缺陷. 形成填隙原子时,原子挤入间隙位置所需的能量比产生肖特基缺陷空位所需的能量大,一般地,当温度不太高时,肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. 杂质原子 实际晶体中存在某些微量杂质。 一方面是晶体生长过程中引入的，如O、N、C等，这些是实际晶体不可避免的杂质缺陷，只能控制相对含量的大小； 另一方面是有目的地向晶体中掺入的一些微量杂质，例如在单晶硅中掺入微量的B、Pb、Ga、In、P、As等可以使晶体的导电性能发生很大变化。 当晶体存在杂质原子时，晶体的内能会增加，由于少量的杂质可以分布在数量很大的格点或间隙位置上，使晶体组态熵的变化也很大。因此温度T下，杂质原子的存在也可能使自由能降低。 (F＝U-TS) 当杂质原子取代基质原子占据规则的格点位置时，形成替位式杂质，如图a；若杂质原子占据间隙位置，形成间隙式杂质，如图b。 对一定晶体，杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质，主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的的相对大小及其电负性。杂质原子比基质原子小得多时，形成间隙式杂质，因为替位式杂质占据格点位置后，会引起周围晶格