Redhawk IREM解决方案在大型多电压域、Wire-bonding芯片中的应用.pdfVIP

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  • 2020-09-18 发布于陕西
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Redhawk IREM解决方案在大型多电压域、Wire-bonding芯片中的应用.pdf

Redhawk IREM解决方案在大型多电 压域、Wire-bonding芯片中的应用 姓名: 戈喆、祝洪峰、高婷、袁永胜、崔璟 职务:芯片数字后端工程师 公司:恩智浦半导体 行业与产品概述 • 行业背景 ‐ 此芯片可广泛应用于工业控制、马达控制、家电、汽车仪表盘领域。 • 芯片特点 ‐ 跨界处理器(crossover processor) ‐ 28FDSOI 工艺 ‐ 1GHz Cortex-M7, 400MHz Cortex-M4 ‐ 2MB SRAM ‐ 芯片大小:22.71 mm2 ‐ 门规模:55M ‐ 单元库: RVT + LVT; 多位寄存器(multi bit flipflop) ‐ 低功耗:支持OD, RBB, FBB ‐ 289 MAPGBA 封装 ‐ 功耗: ~1W ANSYS INNOVATION CONFERENCE 2020 2 仿真需求分析1 • 关键问题:IREM (压降、电迁移)很难满足要求! 域 压 电 多 1.1V OD 电压 BGA封装 、 1G频率 格 8层金属 规 55M 门规模 高 22.7mm2 尺寸 无intra-die bonding 低 成 多电压域 本 策 略 ANSYS INNOVATION CONFERENCE 2020 3 仿真需求分析2 • IREM 设计目标 ID RUNS P V T RC-corner RedHawk TECH Toggle Rate FBB Targets 1 Power EM BCS Vmax 125C SigCmax SigRCmax 0.15,2 No CG no 100% 2 Signal EM BCS Vmax 125C SigCmax SigRCmax 0.15, 2 No CG no 100% 3 Ramp-up WCS Vmin 125C SigCmax SigRCmax - no OD: 26mV

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