半导体器件物理 复习重点.docVIP

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  • 2020-09-20 发布于天津
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标准第一章结结是怎么形成的耗尽区正因为空间电荷区不存在任何可动的电荷所以该区也称为耗尽区空间电荷边缘存在多子浓度梯度多数载流子便受到了一个扩散力在热平衡状态下电场力与扩散力相互平衡型半导体和型半导体接触面形成结区中有大量空穴流向区并留下负离子区中有大量电子流向区并留下正离子这部分叫做载流子的扩散正负离子形成的电场叫做空间电荷区正离子阻碍电子流走负离子阻碍空穴流走这部分叫做载流子的漂移载流子的扩散与漂移达到动态平衡所以结不加电压下呈电中性结的能带图平衡和偏压无外加偏压处于热平衡状态下费米能级处处相

标准 第一章 PN结 1.1 PN结是怎么形成的? 耗尽区:正因为空间电荷区不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下,电场力与扩散力相互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结,p区中有大量空穴流向n区并留下负离子,n区中有大量电子流向p区并留下正离子(这部分叫做载流子的扩散),正负离子形成的电场叫做空间电荷区,正离子阻碍电子流走,负离子阻碍空穴流走(这部分叫做载流子的漂移),载流子的扩散与漂移达到动态平衡,所以pn结不加电压下呈电中性。 1.2 PN结的能带图(平衡和偏压) 无外加偏压,

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