材料的形变和再结晶(第五章-正式版).pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * 高纯金属：T再＝(0.25~0.35)Tm。 2 经验公式 工业纯金属：T再＝(0.35~0.45)Tm。 合金：T再＝(0.4~0.9)Tm。 Tm——熔点 第 八 章 第 三 节 再 结 晶 * 3 再结晶温度的影响因素 （1）变形程度的影响 变形量越大，驱动力越大，再结晶温度越低； 随变形量增大，再结晶温度趋于稳定；变形量低于一定值，再结晶不能进行。 （2）原始晶粒尺寸的影响 原始晶粒尺寸越小，变形抗力越大，变形后储存能越 高，驱动力越大，再结晶温度越低； 晶粒越小，晶界越多，有利于形核。 （3）微量溶质原子 阻碍位错和晶界的运动，不利于再结晶，微量溶质原子的存在会提高再结晶温度； 纯度越高，再结晶温度越低。 * （4）第二相粒子 间距和直径都较大时，提高畸变能，并可作为形核核心，促进再结晶； 直径和间距很小时，提高畸变能，但阻碍晶界迁移，阻碍再结晶。 （5）再结晶退火工艺参数 a加热速度:太低或太高，再结晶温度提高。 b退火温度：退火温度越高，再结晶速度越快，再结晶时间越短，再结晶后的晶粒越粗大 c保温时间：延长保温时间，降低再结晶温度。 * 四、再结晶晶粒大小的控制（晶粒大小－变形量关系图） 再结晶晶粒的平均直径 d=k[G/N]1/4 第 八 章 第 三 节 再 结 晶 N—形核速率 G—长大速率 * 五 再结晶晶粒大小的控制（晶粒大小－变形量关系图） （1）变形度的影响 变形程度很小时：无再结晶，原始晶粒尺寸； 临界变形量时：特别粗大的晶粒，生产中应避免临界变形量。 大于临界变形量：N增大较快，变形量越大，晶粒越细化。 * 五 再结晶晶粒大小的控制（晶粒大小－变形量关系图） （2）温度的影响 变形温度越高，回复程度越大，储存能减小，晶粒粗化； 退火温度越高，临界变形度越小，晶粒粗大。 （3）原始晶粒尺寸 晶粒越小，驱动力越大，形核位置越多， 使晶粒细化。 （4）合金元素和杂质 增加储存能，阻碍晶界移动，有利于晶粒细化。 * 五 再结晶的应用 恢复变形能力 改善显微组织 再结晶退火 消除各向异性 提高组织稳定性 ? 第 八 章 第 三 节 再 结 晶 4h * 5.3.4 晶粒长大 * 5.3.4 晶粒长大 驱 动 力：总界面能的降低. 长大方式： 正常长大； 异常长大（二次再结晶）. 第 八 章 第 四 节 晶 粒 长 大 * 5.3.4 晶粒长大 一 晶粒的正常长大 1 正常长大：再结晶后的晶粒均匀连续的长大。 2 驱动力：界面能差。界面能越大，曲率半径越小，驱 动力越大。 3、直接原因：晶粒界面的不同曲率。 (晶粒长大方向是指向曲率中心,而再结晶晶核的长大方向相反.) 第 八 章 第 四 节 晶 粒 长 大 * 一 晶粒的正常长大 晶界趋于平直; 2 晶粒的稳定形状 晶界夹角趋于120℃; 二维坐标中晶粒边数趋于6. 第 八 章 第 四 节 晶 粒 长 大 * * * * * 一 晶粒的正常长大 3 影响晶粒长大的因素 (1)温度。温度越高，晶界易迁移，晶粒易粗化。 (2)分散相粒子。阻碍晶界迁移，降低晶粒长大速率。 一般有晶粒稳定尺寸d和第二相质点半径r、体积分数?的 关系： d=4r/3? (3)杂质与合金元素。“气团作”钉扎晶界,不利于晶界移动。 (4)晶粒位向差。小角度晶界的界面能小于大角度晶界， 因而前者的移动速率低于后者。 第 八 章 第 四 节 晶 粒 长 大 * * 二 晶粒的异常长大 1 异常长大:少数再结晶晶粒的急剧长大现象。(二次再结晶） 2 基本条件:正常晶粒长大过程被(第二分散相微粒、织构） 强烈阻碍。 3 驱动力：界面能变化。（不是重新形核） 第 八 章 第 四 节 晶 粒 长 大 * * * 5.3.4 晶粒长大 二