磁控溅射镀膜原理及工艺的资料讲解.ppt

磁控溅射镀膜原理及工艺 2010级化学工程与工艺班 姚伟  摘要 真空镀膜技术作为一种产生特定膜层 的技术,在现实生产生活中有着广泛的 应用。真空镀膜技术有三种形式,即蒸 发镀膜、溅射镀膜和离子镀。这里主要 讲一下由溅射镀膜技术发展来的磁控溅 射镀膜的原理及相应工艺的研究。  绪论 溅射现象于1870年开始用于镀膜技术, 1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于 工业生产。常用二极溅射设备如下图。 明极-2000V 氢离子(正) 戰射原子 辉光放 基片 (接地 真空系统 氧气入口  通常将欲沉积的材料制成板材-靶,固定在 阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶 定距离。系统抽至高真空后充入(10~1) 帕的气体(通常为氩气),在阴极和阳极间 加几千伏电压,两极间即产生辉光放电。放 电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与 靶表面原子碰撞,受碰撞从靶面逸岀的靶原 子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏 范围内。溅射原子在基片表面沉积成膜。  其中磁控溅射可以被认为是镀膜技术 中最突出的成就之 以溅射率高、 基片温升低、膜-基结合力好、装置性能 稳定、操作控制方便等优点,成为镀膜 工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透 明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大 面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀 膜场合)的首选方案。  1磁控溅射原理 溅射属于PD∨(物理气相沉积)三种 基本方法:真空蒸发、溅射、离子镀 (空心阴极离子镀、热阴极离子镀、 电弧离子镀、活性反应离子镀、射频 离子镀、直流放电离子镀)中的一种。  磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用 下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使 其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞 向基片,Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极 靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射 在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基 片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场 和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指 的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似 于一条摆线。  若为环形磁场,则电子就以近似摆线形 式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径 不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等 离子体区域内,并且在该区域中电离出大 量的Ar正离子来轰击靶材,从而实现了高 的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次 电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面, 并在电场E的作用下最终沉积在基片上。 由于该电子的能量很低,传递给基片的 能量很小,致使基片温升较低。  磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射 粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰 撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其 他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过 程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足 够动量,离开靶被溅射出来。 基片 ⊙○ 靶材 V(0)  11磁控溅射种类 磁控溅射包括很多种类。各有不同工 作原理和应用对象。但有一共同点:利 用磁场与电场交互作用,使电子在靶表 面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞 击氩气产生离子的概率。所产生的离子 在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。