薄膜太阳能生产工艺流程解读.ppt

GD Solar 薄膜太阳能电池生产流程及工艺 国电太阳能(江苏)有限公司  培训内容 GD Solar 非晶硅薄膜电池生产流程 模组生产流程 各主要生产机台的基本工艺、水电气、原材料和基本参数 2018/8/23  目录 GD Solar 太阳能电池基本原理(PN结1) 太阳能电池基本原理(PN结2) 太阳能电池基本原理(光电效应) 薄膜太阳能电池生产流水线总图 薄膜太阳能电池生产流程图 薄膜太阳能电池结构 薄膜太阳能电池结构(续) 薄膜太阳能电池电路图 薄膜太阳能电池的连接 薄膜太阳能电池生产流程[E01E03) 薄膜太阳能电池生产流程(E04E07 薄膜太阳能电池生产流程仼08-E11 薄膜太阳能电池生产流程(E12-E15 薄膜太阳能电池生产流程(E16E18) 薄膜太阳能电池生产流程(19-E23 2018/8/23  阳能电池基本原理(PN结1) GD Solar Si)o(si)◎。(s )p(si)◎°(s ● 自由电子 空穴 (si)。(si) ·(B)o。(Si) o(S1)(。 硅原子的共 硅中掺杂P形成电子 硅中掺杂B形成空穴 价健结构 (N型) (P型 ◆PN结是太阳能电池的基础。PN结的基本材料是半导体 ◆半导体:介于导体和绝缘体之间,如si、P、B、Ga 电子 空穴 ◆晶体:原子的排列具有长程周期性和旋转对称性(单晶、多晶); 非晶体:原子无序排列,没有旋转对称性,但短程有序。 ◆N型半导体:Si中掺杂5价的P,P作为施主杂质能够提供自由移动的电子,电子是多数载流子。 P型半导体:S中掺杂3价的B,B作为受主杂质,产生空穴,能够接受电子,空穴是多数载流子 2018/8/23  阳能电池基本原理(PN结2) GD Solar P区(掺B) N区(掺P) ◆PN结的形成 把P型半导体和N型半导体结合起来 物质总是从浓度高的地方向浓度低的 地方扩散。P区和N区的多数载流子由 于浓度差向对方扩散。扩散的结果在P ⊙《动态平衡 区一侧留下带负电的离子,在N区一侧 留下带正电的离子,这就形成了一层很 薄的空间电荷区,又称耗尽层和PN结 由耗尽层产生的内电场一方面阻止多 子的继续扩散,另一方面又促使少数载 流子向对方漂移,当扩散和漂移相等时, 耗尽层/PN结 PN结处于动态平衡 ◆PIN:l层能增加耗尽层的厚度,减少a-Si 电子 正离子 缺限。增加載流子的寿命,提高光电转换效 空穴 负离子 2018/8/23  能电池基本原理(光电效应) GD Solar 原子轨道 原子能级 原子能带 ◆能级:原子中电子的的运动状态分不 导带同的能级,原子核外围的电子受原子核 Eg禁带作用弱,能量坐标上能量愈高,反之原 子核内围的电子能量愈低 E价带◆低能吸的电子吸收一定能量的光子后 就会跃迁到高能吸 ◆半导体的能带结构:按量子力学方法 研究固体内部电子运动的理论,固体材 料的结构由多条能带组成。能带分为价 Front electrode 带、导带和禁带,导带和价带间的空隙 称为禁带宽度(Eg)。半导体的禁带宽 度Eg很窄(0.34eV),当光照能量hvEg 时,可激发电子从价带跃迁到导带中去 同时在价带中形成空穴。电子和空穴总 是成对出现 Back electrode ◆在内电场的作用下,带负电的电子逆 向内电场向N区移动,带正电的空穴顺 O空穴 内电场向P区移动。 电 ◆薄膜太阳能电池在光照后,从P区前电 极流出正电,从N区背电极流出负电 2018/8/23  膜太阳能电池生产流水线总图 GD Solar PECVD MOCVD EDGE ID MARKERMOCVD P1 SPUTTER P4 DELETIO 身份标识化学沉积划线1 化学沉积化学沉积 溅射镀(AL)划线4边缘喷沙 (TCp) (HN)(Zno 除边 HE 实 EDCE INITIAL DI WET GRINDER CLEANER CLEARER 磨边 初次清洗 纯水清洗 划线2 划线3 CLERNER PROCESS FLOW 纯水清洗 产品流 2018/8/23  薄膜太阳能电池生产流程图 GD Solar Edge Initial Loader Grinder PECVD(PIH) 叫 DI Cleaner IOCYD(TCO) IOCYD(Zn0) Sputter (Al) odule 2one DI Cleaner Dele 2018/8/23  薄