第一章 半导体的n型、p型掺杂[文字可编辑].ppt

半导体的 n 型、 p 型掺杂 教 师：黄辉 办公室：创新园大厦 A1226 本章内容 2 ? 1. 半导体概述 ? 2. 本征半导体 ? 3. 杂质半导体 ? 4. 掺杂工艺简介 1. 半导体概述 3 根据物体导电能力（电阻率） 的不同，物质可分为 导体 (ρ10 - 1 Ω·cm) 、 绝缘体 (ρ10 9 Ω·cm ) 和 半 导体 (10 -1 Ωρ10 9 Ω·cm) 三大类。 半导体应用极为广泛，因为它 具有 热敏性 、 光敏性 、 掺杂性 等特 殊性能。 1. 半导体概述 4 典型的半导体有 硅 Si 和 锗 Ge 以及 砷化镓 GaAs 等， 其都是 4 价元素（外层轨道上的电子通常称为 价电子 ）， 其原子结构模型和简化模型如图所示。 1. 半导体概述 5 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原 子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此 ，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现 在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原 子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的 。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 2. 本征半导体 6 纯净的、不含其他杂质的半导体称为 本征半 导体 。 在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足 够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，在原位 留下一个空穴，这种产生电子 - 空穴对的现象称为 本征 激发。 在热力学温度零度（即 T= ０Ｋ，相当于 -273 ℃ ） 时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因此， 晶体中没有自由电子。所以在 T= ０Ｋ时，半导体不能 导电，如同绝缘体一样。 2. 本征半导体 7 由于随机热振动致使共价键被打破而产生电 子空穴对 。 本征半导体中存在两种载流子：带负电的 自由电 子 和带正电的 空穴 。分别用 n 和 p 表示自由电子和空穴 的浓度，有 n=p 。 2. 本征半导体 8 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用 下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个 电子原来的位置上又留下新的 空位，以后其他电子又可转移 到这个新的空位。这样就使共 价键中出现一定的电荷迁移。 空穴的移动方向和电子移动方 向是 相反 的。 3. 杂质半导体 9 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓 度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某 种特定杂质，成为 杂质半导体 后，其导电性能将发 生质的变化。 N 型半导体 ——掺入五价杂质元素（如磷、砷）的 半导体。 P 型半导体 ——掺入三价杂质元素（如硼、镓）的 半导体。 3. 杂质半导体 10 因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而多余的一 个价电子因无共价键束缚而很容 易形成自由电子。 n 型半导体 在Ｎ型半导体中 自由电子是多数载流子 ，它主要由杂 质原子提供； 空穴是少数载流子 , 由热激发形成。 3. 杂质半导体 11 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成 为 正离子 , 因此五价杂质原子也称为 施主杂质 . 若用 N D 表示施主原子的浓度， n 表示总自由电子 的浓度， p 表示少子空穴的浓度，则有如下的浓 度关系： n = p + N D 上式表明，离子化的施主原子和空穴的正电荷 必为自由电子的负电荷所平衡，以保持材料的 电中性。 3. 杂质半导体 12 应当注意，通过增加施主原子数可以提高半导 体内的自由电子浓度，由此增加了电子与空穴 的复合几率，使本征激发产生的少子空穴的浓 度降低。由于电子与空穴的复合，在一定温度 条件下，使空穴浓度与电子浓度的乘积为一常 数，即 p n = p i n i 式中 p i n i 分别为本征材料中的空穴浓度和电子 浓度，可以得到如下关系式： p n = n i 2 3. 杂质半导体 13 p 型半导体 ? 因三价杂质原子在与硅原子 形成共价键时，缺少一个价 电子而在共价键中留下一个 空穴。 ? 在Ｐ型半导体中 空穴是多数载流子 ，它主要由掺杂形 成 ； 自由电子是少数载流子 ， 由热激发形成。 ? 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子 。三价 杂质因而也称为 受主杂质 。 3. 杂质半导体 14 若用 N A 表示受主原子的浓度， n 表示少子电 子的浓度， p 表示总空穴的浓度，则有如下 的浓度关系： N A + n = p 这是因为材料中的剩余电荷浓度必为零。或 者说，离子化的受主原子的负电荷加上自由 电子必与空穴的正电荷相等。 3. 杂质半导体 15 杂质半导体的特点 ? 在杂质半导体中， 多数载流子 的浓度主要取决于 掺入的 杂质浓度 ；而 小数载流子 的浓度主要取决于 温度 。 ? 杂质半导体，无论是 N 型还是 P 型，从总体上看， 仍然保持着 电中性 。