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S50 非接触式 IC 卡性能简介（ M1 ） 一、 主要指标 容量为 8K 位 EEPROM 分为 16 个扇区，每个扇区为 4 块，每块 16 个字节 ,以块为存取单位 每个扇区有独立的一组密码及访问控制 每张卡有唯一序列号，为 32 位 具有防冲突机制，支持多卡操作 无电源，自带天线，内含加密控制逻辑和通讯逻辑电路 数据保存期为 10 年，可改写 10 万次，读无限次 工作温度： -20℃ ~50℃ (湿度为 90%) 工作频率： 13.56MHZ 通信速率： 106 KBPS 读写距离： 10 cm 以内（与读写器有关） 二、 存储结构 1、 M1 卡分为 16 个扇区，每个扇区由 4 块（块 0、块 1、块 2、块 3）组成，（我们也 将 16 个扇区的 64 个块按绝对地址编号为 0~63 ，存贮结构如下图所示： 块 0 数据块 0 扇区 0 块 1 数据块 1 块 2 数据块 2 块 3 密码 A 存取控制 密码 B 控制块 3 块 0 数据块 4 扇区 1 块 1 数据块 5 块 2 数据块 6 块 3 密码 A 存取控制 密码 B 控制块 7 ∶ ∶ ∶ 0 数据块 60 扇区 151 数据块 61 2 数据块 62 3 密码 A 存取控制 密码 B 控制块 63 2、第 0 扇区的块 0（即绝对地址 0 块），它用于存放厂商代码，已经固化，不可更改。 3、每个扇区的块 0、块 1、块 2 为数据块 ，可用于存贮数据。 数据块 可作两种应用： ★ 用作一般的数据保存，可以进行 读、写操作。 1 ★ 用作数据值，可以进行 初始化值、加值、减值、读值 操作。 4、每个扇区的块 3 为控制块 ，包括了密码 A 、存取控制、密码 B 。具体结构如下： A0 A1 A2 A3 A4 A5 FF 07 80 69 B0 B1 B2 B3 B4 B5 密码 A （ 6 字节） 存取控制（ 4 字节） 密码 B（ 6 字节） 5、每个扇区的密码和存取控制都是独立的，可以根据实际需要设定各自的密码及存取 控制 。存取控制为 4 个字节，共 32 位，扇区中的每个块（包括数据块和控制块）的 存取条件是由密码和存取控制共同决定的，在 存取控制 中每个块都有相应的 三个控 制位 ,定义如下： 块 0： C10 C20 C30 块 1： C11 C21 C31 块 2： C12 C22 C32 块 3： C13 C23 C33 三个控制位以正和反两种形式存在于存取控制字节中，决定了该块的访问权限（如 进行减值操作必须验证 KEY A ，进行加值操作必须验证 KEY B ，等等）。三个控制 位在存取控制字节中的位置，以块 0 为例： 对块 0 的控制： bit 7 6 5 4 3 2 1 0 字节 6 C20_b C10_b 字节 7 C10 C30_b 字节 8 C30 C20 字节 9 ( 注： C10_b 表示 C10 取反 ) 存取控制（ 4 字节，其中字节 9 为备用字节）结构如下所示： bit 7 6 5 4 3 2 1 0 字节 6 C23_b C22_b C21_b C20_b C13_b C12_b C11_b C10_b 字节 7 C13 C12 C11 C10 C33_b C32_b C31_b C30_b 字节 8 C33 C32 C31 C30 C23 C22 C21 C20 字节 9 ( 注： _b 表示取反 ) 6、数据块 （块 0、块 1、块 2）的存取控制如下： 2 控制位（ X=0..2 ） 访 问 条 件 （对数据块 0、1、2） C1X C2X C3X Read Write Increment Decrement, transfer, Restore 0 0 0 KeyA|B KeyA|B KeyA|B KeyA|B 0 1 0 KeyA|B Never Never Never 1 0 0 KeyA|B KeyB Never Never 1 1 0 KeyA|B KeyB KeyB KeyA|B 0 0 1 KeyA|B Never Never KeyA|B 0 1 1 KeyB KeyB Never Never 1 0 1 KeyB Never Never Never 1 1 1 Never Never Never Never （ KeyA|B 表示密码 A 或密码 B ， Never 表示任何条件下不能实现） 例如：当块 0 的存取控制位 C10 C20 C30=1 0 0 时，验证密码 A 或密码 B 正确后可读； 验证密码 B 正确后可写；不能进行加值、减值操作。 7、控制块 块 3 的存取控制与 数据块 （块 0、 1、2）不同，它的