国家标准-磷化镓单晶-编制说明.docVIP

PAGE 5 国家标准《磷化镓单晶》编制说明（讨论稿） 一、工作简况 1、立项目的与意义 磷化镓（GaP）是Ⅲ族元素Ga和Ⅴ族元素P化合而成的半导体材料。磷化镓单晶是一种电子功能材料，主要用于制备可见光的发光二极管，根据掺杂的不同，可以发出红色、黄色、绿色等不同颜色的光，具有一定的市场价值。目前现有的标准为《GB/T 20229-2006磷化镓单晶》，随着生产水平的提高，已经不能满足现有产品的需求，有必要对技术参数加以规范，进行修订、增加相关指标。形成新的统一标准后，可作为磷化镓单晶行业今后组织生产、销售和接受质量监督的依据，以利于磷化镓的更好发展。 2、任务来源 根据《国家标准化管理委员会关于下达2019年第四批推荐性国家标准计划的通知》（国标委发[2019]40号，2019年12月31日），由中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称中国电科13所）负责修订《GB/T 20229-2006磷化镓单晶》，计划编号T-469。 3、承担单位概况 本项目承担单位中国电子科技集团公司第十三研究所，多年从事电子材料和元器件的研制和生产，且重视标准化工作，是全国半导体器件标准化技术委员会秘书处依托单位，是国际电工委员会IEC TC47技术委员会的技术对口单位，多年来一直在标准化领域开展了大量国内和国际标准化工作。 中国电科13所从70年代开始从事磷化镓单晶材料制备的科研工作，已有40余年的历史，获得过《磷化镓材料在单晶炉内合成和制备》的全国科学大会奖。本单位具有丰富的工作经验，技术力量雄厚，专业配置合理，具有很强的科研技术开发能力，了解和熟悉国内磷化镓单晶材料的生产、使用和研制工作动态及技术水平。中国电科13所曾编写了GB/T 20229《磷化镓单晶》、GJB 2917A《磷化铟单晶片规范》、GB/T 20230《磷化铟单晶》、SJ/T 21475《磷化铟单晶片几何参数测试方法》等多项国军标、国标及行军标。 4、编制过程 中国电科13所于2020年1月成立编制组，负责本标准的调研和编写工作。2020年1月~7月之间，编制组根据任务落实会确定的起草原则，对国内外生产磷化镓单晶产品的相关企业进行调研和统计，并调研了下游客户的质量要求，按照产品标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，同时结合企业的一些技术指标和检验数据，起草了本标准的初稿。 二、标准主要内容和确定主要内容的依据 1、编制原则 本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等信息，初步确定了《磷化镓单晶》标准起草所遵循的基本原则和编制依据： 查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求； 根据国内磷化镓单晶生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用性； 根据技术发展水平及测试数据确定技术取值范围； 按照GB/T 1.1产品标准编写示例的要求进行格式和结构编写。 2、标准主要内容和确定主要内容的依据 本规范的内容是在GB/T 20229-2006的基础上，针对原有标准中与当前实际应用中不符合的部分进行修订，主要修订内容如下： 2.1 牌号 不再独立进行牌号的要求编写，修改后符合GB/T 14844的规定，形成统一标准。 2.2 电学性能 修订了磷化镓单晶锭的电学性能中N型材料的指标，增加了半绝缘型、P型指标。 经过调研中国电科13所、有研光电、日本信越化学等单位，电学性能指标依据国内多家单位电学参数结果，结合完成的多个课题指标要求，综合国外磷化镓生产厂家的产品参数，在满足国内客户需求的基础上，考虑现有国内制备磷化镓单晶锭的水平，制定出了电学特性参数的指标。 电学性能 导电类型 掺杂剂 电阻率 Ω·cm 载流子浓度 cm-3 迁移率 cm2/（V?s） N S （0.1～6）×10-3 （1.0～8.0）×1017 ≥100 Te (1～6)×10-3 ≥5×1017 ≥100 非掺 - ≤1×1016 ≥100 半绝缘型 Fe ≥5×107 - - P Zn - ≥1×1017 ≥20 2.3位错密度 修订了位错密度的表示方法，更改为位错密度级别，并将此节调整为磷化镓单晶锭指标。 经过调研中国电科13所、有研光电、日本信越化学等单位，位错密度指标依据国内多家单位电学参数结果，结合完成的多个课题指标要求，综合国外磷化镓生产厂家的产品参数，在满足国内客户需求的基础上，考虑现有国内制备磷化镓单晶锭的水平，制定出了位错密度参数的指标。 原标准中将位错密度统一写成不大于5×1017个/cm2，随着单晶制备水平的提高，目前可以做到更低位错密度水平。因此，进行了修订，将参数划分为三个级别，如下表： 位错密度级别划分 级别 位错密度 个/cm2 Ⅰ ≤1×105 Ⅱ ＞1×105～3×105 Ⅲ ＞3×105～5×105