22PN结的形成及特性.ppt

1. PN 结的形成 2.2 PN 结的形成及特性 两侧载流子存在浓度差 多子扩散运动 空穴： P ? N ；电子 N ? P 空穴和电子产生复合 杂质离子不移动形成空间电 荷区 空间电荷区形成内电场 促进少子漂移运动 阻止多子扩散运动 多子的扩散和少 子的漂移达到动 态平衡 形成 PN 结 (1) 外加正向电压 V F 当 PN 结外加正向电压时，外加电压就会在 PN 结上形成一个外电场， 其方向和 PN 结内电场的方向相反，这样就削弱了内电场，扩散与漂移运 动的平衡也就被破坏了。在外电场的作用下，Ｐ区的空穴进入空间电荷区 抵消一部分负空间电荷，Ｎ区的电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电 荷。结果使整个空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大 的电流 正向电流 I F 。此时扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影 响， PN 结呈现低阻性。 P 区 — 电源正极 N 区 — 电源负极 称为外加正向电压或正向偏置 （简称 正偏 ） PN 结加正向电压时的导电情况动画演示 2. PN 结单向导电性 P N 内电场 外电场 I F V F PN 结加正压 P N 内电场 外电场 I R （ I S ） PN 结加反向电压时的导电情况动画演示 (2) 外加反向电压 V R P 区 — 电源负极 N 区 — 电源正极 称为外加反向电压或反向偏置 （简称 反偏 ） 当 PN 结外加反向电压时，外加电场方向与 PN 结内电场方向相同，加 强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此 时 PN 结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽 略扩散电流， PN 结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定 的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反 向电压的大小无关，这个反向电流 I R 也称为反向饱和电流 I S ， 其大小与温 度有关。 小结：ＰＮ结具有 单向导电性 。当正向偏置时，ＰＮ结电阻 很低，正向电流较大，称为ＰＮ结处于导通状态；当 反向偏置时，反向电流很小（几乎为零），ＰＮ结相 当一个非常大的电阻，称ＰＮ结处于截止状态。 V R PN 结加 反压 (3) PN 结的伏安（ V-I ）特性 PN 结的伏安特性是指在 PN 结两 端外加电压时，通过 PN 结的电流大 小与外加电压之间关系的特性。如图 所示（硅二极管 PN 结）。 根据理论推导，二极管的伏 安特性曲线可用下式表示 ： -1.0 -0.5 0 0.5 1.0 1.0 0.5 v D /V i D /mA i D =- I S ) 1 (e T D S D ? ? V v I i 式中 I S 为反向饱和电流， v D 为外加电压， V T = kT/q 称 为温度的电压当量， k 为玻耳兹曼常数 (8.617*1e-5 eV/K) ， q 为电子电荷量 (1.6*1e-19 库 ) ， T 为热力学温度。对于室温（ 相当 T =300 K ），则有 V T =26 mV 。非线性元件。 3. PN 的反向击穿 反向击穿 热击穿 电击穿 雪 崩 击 穿 齐 纳 击 穿 PN 结两端反向电压增加 到一定数值时，反向电 流突然增加，这种现象 称为 反向击穿 消耗功率大 于耗散功率 PN 结损坏 消耗功率小于 耗散功率 击穿过程可逆 v D i D V BR V BR ：反向击穿电 压 2.2.4 PN 结的电容效应 1. 势垒电容 C b 这种由空间电荷区的宽度随外加电压变化所等效的 电容称为势垒电容，通常用 C b 表示。 2.2.4 PN 结的电容效应 2. 扩散电容 C d 这种非平衡少子的浓 度随外加正向电压的变 化所等效的电容效应称 为扩散电容，通常用 C d 表示。 PN 结的 结电容 是势垒电容和扩散电容之和： j b d C C C ? ? TEK DPO7254 6dB*4 Attenuator 40dB Gun Strap Line TVS Test Fixture Directly Discharge Shielding Room 1 m 2 m -100 -50 0 50 100 150 200 250 300 350 400 -0.02 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 V o l t a g e [ V ] Time [ns] -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 V o l t a g e [ V ] Time [ns] -200 -100 0 100 200 300 4