外延结构的基础知识.ppt

外延结构基础知识  外延結構示意圖 In GaN: Ma PTe氯化 P-GaN: Mow RT氯化電阳指層 (氨化化踪)8子井洁 N-GaN 什化容并达情 NTye到化踪矿按胜 需置石基板 量石基板 磊晶前 磊晶後  讨底 AL2 O3 优点:化学稳定性好、不吸收可见 光、价格适中、制造技术相对成熟 缺点:晶格失配和热失配、导电性 和机械性差  SiC 优点:化学稳/点:价格太 市场上的占有定性好、导电体品质 难以达到 率位居第2 性能好、导热 性能好、不吸/A203和Si那 收可见光等 麼好、机械加 工性能比较差  优点:晶体品质高,尺寸大,成本低,易加工,良 好的导电性、导热性和热稳定性等。 缺点:由于GaN外延层与S衬底之间存在巨大的晶 格失配和热失配,以及在GaN的生长过程中容易形 成非晶氮化硅,所以在Si衬底上很难得到无龟裂及 器件级品质的GaN材料(si掺过多同样会出现)。另 外,由于硅衬底对光的吸收严重,LED出光效率低。  GaN材料和常用衬底材料的晶格失配和热失配 晶格失配度热膨胀系数热膨胀系数失 衬底 晶格常数(A)GaN/衬底% X106/K 配度 GaN/衬底% GaN 3.189 5.59 蓝宝石(01)4.758 16 7.5 34 缓冲层解决 6H-SiC(0001) 4.2 Si(111) 5.43 16.9 3.59 ◆以上晶格常数在300K下测量,热膨胀系数在 1073K下测量  H2 Anneal 高温处理表面(H2状态下) 主要起到清洁表面作用、时间不宜过长、否则对衬底本 身会有一定的影响,尤其是ps底 高温处理的时间和温度是关键的控制因素 如果生长前衬底不进行高温热处理,即使缓冲层工艺控 制得很好,位错密度也会高一些  B uTTer 缓冲层 连接Al2O3与GaN的中 Buffer ratio反应 Buffer 间剂,粘合剂(A2O3和 的厚度,最好是在 GaN适配率高) 25mm左右(非晶体结 构)  Rough 高温下退火,退火实际本身就是一种再结晶的过程,但一般 的退火过程不会有明显的晶粒长大现象,经过高温退火后形 成高温GaN相,是纤维锌矿结构。GaN是60%离子化合物半导 体,纤维锌矿结构是它最稳定的晶格结构 退火结束后,开始进行GaN的重结晶过程(3D生长)。初时 在蓝宝石基板上的GaN量子点( butter生成的)的密度和尺寸 应遵守正态分布,重结晶过程是大尺寸GaN晶粒吞噬小尺寸 GaN晶粒的过程,这是一个释放体系能量的过程,所以重结 晶之后的GaN岛的尺寸和密度也应遵守正态分布。这样的结 效果并不是最理想的  GaN岛长到一定尺寸时就不会再有明显 的横向生长,转而进行高速的纵向生长 想要通过降低GaN岛的密度来降低螺形 位错密度受GaN的晶体特性限制。缓冲 层本身的作用就是给后续GaN的生长提 供成核中心,蓝宝石基板对成核中心进 行晶体定向,这样才不会长出多晶