4.1 MOSFET及其特性模拟电子技术基础.pdf

MOSFET及其特性 模拟电子技术基础 MOSFET及其特性 为什么要学习分立元件放大电路 我们身边的电子产品，智能手机、计算机、电视等，打开这些 IC FET BJT 电子产品发现内部几乎全是 ，已经很难找到 或 分立 的放大器件。 模拟电子技术基础 MOSFET及其特性 为什么要学习分立元件放大电路 / 大功率大电流放大电路仍使用分立器件。 拆开 模拟电子技术基础 MOSFET及其特性 为什么要学习分立元件放大电路 / 但在最先进的大功率 大电流、低噪声放大电路等电子电路中除 IC 了 之外，仍然使用着多种分立器件。 拆开 模拟电子技术基础 MOSFET及其特性 为什么要学习分立元件放大电路 IC FET BJT 也是由 和 构成的。 Integrated Circuit IC 集成电路（ ，简称为 ） IC应用于一般电路 分立元件应用于追求高性能的先进电路 模拟电子技术基础 MOSFET及其特性 什么是场效应管放大电路 什么是场效应管放大电路呢？ 就是用场效应管构成放大电路。 模拟电子技术基础 MOSFET及其特性 主要内容 1 单极型晶体管概述 2 增强型MOS场效应管 3 耗尽型MOS场效应管 4 放大区伏安特性方程 5 MOSFET的主要参数 模拟电子技术基础 1 单极型晶体管概述 FET定义 Field Effect Transistor FET 场效应管 （ ，简称为 ）是利用输 入回路电压产生的电场，控制输出回路电流的一种半导体器 件。 FET是电压控制器件。 BJT定义 Bipolar Junction Transistor BJT 双极型晶体管 （ ，简称为 ） 是利用输入电流控制输出回路电流的一种半导体器件。 BJT是电流控制器件。 模拟电子技术基础 1 单极型晶体管概述 电压控制器件 输入阻抗极高 场效应管特点 单极型器件（一种载流子：多子参与导电） 噪声小 缺点速度慢（∵有寄生电容效应） 电流控制器件 输入阻抗不