《电磁场的边界条件》.docxVIP

电磁场的边界条件 姓 名： 桑薇薇 学 号： 09901140131 专 业： 通信工程 班 级： 电工1401 提交 日期： 2016.5.28 电磁场的边界条件 引言 边界条件分类 边界条件的作用 结束语 参考又眺 引言 在两种不同媒质的分界面上，场矢量 E,D,B,H各自满足的关系，称为电磁场的边界条件。 在实际的电磁场问题中， 总会遇到两种不同媒质的分界面 （例如：空气与玻璃的分界面、导 体与空气的分界面等），边界条件在处理电磁场问题中占据十分重要的地位。 边界条件分类 1、电场法向分量的边界条件 如图3.9所示的两种媒质的分界面，第一种媒质 的介电常数、磁导率和电导率分别为 1, 1和1, 第二种媒质的介电常数、磁导率和电导率分别为 2, 2和2。 在这两种媒质分界面上取一个小的柱形闭合面, 如图3.9所小，其高h为无限小量，上下底面与分界面平■行，并分别在分界面 v 两侧，且底面积 S非常小，可以认为在 S上的电位移欠量D和面电荷密度S是 v 均匀的。ni v n2分别为上下底面的外法线单位欠量, 在柱形闭合面上应用电场的 高斯定律 v v v v ?SDgdS vcPi v v n2gD2 S v v n〔gDi v v n?gD2 (3.48a) v , 右规正n为从媒质皿指向媒质i为正方向，则 vni v vng(Di v D2) Din D2n 式(3.48 )称为电场法向分量的边界条件 vn2 v n，式(3.48a)可写 (3.48b) (3.48c) v 因为D v E，所以式(3.48) v 可以用E的法向分量表示 iXigEi v v 2n2gE2 S (3.49a) id 2 E2n S (3.49b) 若两种媒质均为理想介质时，除非特意放置，一般在分界面上不存在自由面 电荷，即S °,所以电场法向分量的边界条件变为 (3.50a)iEin 2E2n (3.50a) iEin 2E2n (3.50b) 若媒质i为理想介质，媒质n为理想导体时,导体部电场为零，即E2 若媒质i为理想介质，媒质n为理想导体时, 导体部电场为零，即 E2 ° D2 °,在导体表面存在自由面电荷密度，则式 (3.48)变为 v V nicDi Din s (3.51a) iEin s在两种媒质分界面上取一小的矩形闭合回路abcd iEin s 在两种媒质分界面上取一小的矩形闭合回路 abcd，如图3.10所示，该回路 短边h为无限小量，其两个长边为 1,且平行丁分界面，并分别在分界面两侧。 (3.51b) 电场切向分量的边界条件 在此回路上应用法拉第电磁感应定律 v?E8I 因为 Eit l E2t lv Bl h 0 tEitE2t(3.52a) Eit l E2t l v B l h 0 t Eit E2t (3.52a) v 若n为从媒质皿指向媒质I为正方向，式 (3.52a)可写为 v (Ei v E2) 0 (3.52b) 式(3.52)称为电场切向分量的边界条件。 该式表明，在分界面上电场强度的切向 分量总是连续的 Dit D2t v 用D表小式(3.52a)得 (3.53) 若媒质皿为理想导体时，由丁理想导体部不存在电场，故与导体相邻 Eit 0的媒质 Eit 0 (3.54) 因此，理想导体表面上的电场总是垂直丁导体表面， 对丁时变场，理想导体 部不存在电场，因此理想导体的切向电场总为零， 即电场也总是垂直丁理想导体 表面。 3、标量电位的边界条件 丁 在两种媒质分界面上取两点，分别为 A和B,如图 广 匚 3.11所示。A, B分别位丁分界面两侧，且无限靠近，两 图3-11电位边界条件 , v 点的连线h 0,且h与分界面法线n平行，从标量电位的物理意义出发，得 B v v h h a b AEgdl Emy E2 由丁 E1n和E2n为有限值，而 h 0所以由上式可知A B °,即 A B 或 1 S 2 S (3.55) 式中S为两种媒质分界面。该式表明在两种媒质分界面处，标量电位是连续的。 标量电位 在分界面上的边界条件在静电场求解问题中是非常有用的。 考虑 v 到电位与电场强度的关系：E ，由电场的法向分量边界条件式(3.49b)得 2 n2s (3.56) 式(3.56)称为静电场中标量电位的边界条件 若两种媒质均为理想介质时，在分界面 为 1 S 2 S 1 2 1 2 n s n Is 若在理想导体表面上，标量电位的边界咨 S C (常 ns尽 v式中n为导体表面外法线方向。 4、磁场法向分量的边界条件 在两种媒质分界面处作一小柱形闭合 面，如图3.12所示，其高度h 0 ,上下 底面位丁分界面两侧且与分界面平■行，底 V 一 一 . 面积S很小，n为从媒质皿