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Page 31 外延工艺 EPITAXY PROCESS 3).Shift 的测定 ? 外延后按原耒的光刻套准，扩散后解理看 图形的漂移并测试漂移的平均值。 ? 光刻时套刻版子加以修正值，然后看结果 是否达到予定值。 ? 用滚槽方法直接测定。 Page 32 外延工艺 EPITAXY PROCESS 外延图形漂移的测定 Page 33 外延工艺 EPITAXY PROCESS 光刻版加修正后套刻正确 Page 34 外延工艺 EPITAXY PROCESS 用滚槽法测 shift Page 35 外延工艺 EPITAXY PROCESS 上下片因温度不均匀造成 shift 不同 , 引起 电学参数不同。 上片漂移小纠偏过头 下片纠偏较正确 Page 36 外延工艺 EPITAXY PROCESS 4). 图形畸变 Distortion ? 外延后图形增大或缩小 , 变模糊 , 甚之消失。 ? 图形边缘不再锐利。 ? 畸变原因： 主要是 HCL 腐蚀硅片表面，在台阶处，由于取 向不同使各方向腐蚀速率不同结果产生畸变。 Page 37 外延工艺 EPITAXY PROCESS SHIFT 对称变大 非对称畸变 对称变小 图形消失 Page 38 外延工艺 EPITAXY PROCESS 外延后图形严重畸变 对于 (111) 晶片 , 取向对畸变影响很大 畸变小 畸变严重 Page 39 外延工艺 EPITAXY PROCESS 轻微畸变使图形边缘模糊，使光刻困难 轻微畸变 水平方向变宽，光刻机不能识别 Page 40 外延工艺 EPITAXY PROCESS 硅源中氯原子的含量上对 shift 的影响 Page 41 外延工艺 EPITAXY PROCESS 温度对 shift 的影响 Page 42 外延工艺 EPITAXY PROCESS 生长速率对 shift 的影响 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 s h i f t G ro th ra te (1 1 1 ) Page 43 外延工艺 EPITAXY PROCESS 5). 减少畸变和漂移的方法 ? 选用低氯的源。 ? 温度升高畸变减少 ? 降低外延压力 ( 采用减压外延 ) ? 降低生长速率 ( 减少氯含量 ) ? 对于 (111) 取向偏离 3-4o ( 向最近的 110 方向 ) ? 增加 H2 流量 Page 44 外延工艺 EPITAXY PROCESS 6) 控制图形漂移的重要性 ? 一旦漂移量确定后如何控制漂移的一致性 很重要，如有几台炉子，就要保持一致。 ? 最常见的偏离是温度偏移，要常监控。 Page 45 外延工艺 EPITAXY PROCESS 4. 外延表面缺陷 ? 常见缺陷有：层错、位错、滑移线、雾、小丘、 桔皮状、边缘凸起、表面颗粒等 ? 造成原因： 表面有损伤层，易产生层错 与 (111) 取向偏离小于 0.5o ，易产生乳凸状小丘 硅片受热不均匀，易产生滑移线 外延系统漏气易产生白雾 硅片表面不洁，或反应室脏易产生颗粒 Page 46 外延工艺 EPITAXY PROCESS 1) 层错 ? 产生原因：衬底 表面有损伤，或 不干净 ? 减少层错的方法： 用 HCL 腐蚀衬底 表面去除损伤层 及清洁硅片表面 Page 47 外延工艺 EPITAXY PROCESS 表面颗粒 : 与外延系统及衬底的清洁度有关， 下图是用表面沾污仪测试结果 Page 48 外延工艺 EPITAXY PROCESS 表面呈乳凸状小丘：产生原因与衬底取向有关，与 (111) 取向偏离小于 1o Page 49 外延工艺 EPITAXY PROCESS ( 111) 硅片的滑移线 Page 50 外延工艺 EPITAXY PROCESS 滑移线 ? 产生原因 ： 硅片在热处理过程中， 受热不均匀，在 1200o C 当中心和边缘的温差， 大于 25o C 时，其屈应 力大于 1000PSI ，易 产生滑移线，它会严 重地影响成品率。感应 加热及大直径硅片温差 大，易产生滑移线。 Page 51 外延工艺 EPITAXY PROCESS 外延后埋层图形变粗糙 与外延的气氛及埋尽的表面状变有关 Page 52 外延工艺 EPITAXY PROCESS 外延系统有轻微漏气外延后有轻微白雾 下图是经铬酸腐蚀后看到的层错和雾 Page 53 外延工艺 EPITAXY PROCESS 类似三角形缺陷 ? 原因：表面氧化层没去净 PD015/03A238.115#( 类似三角形缺陷 ) 外延技术讲座 简述 Page 2 外延工艺 EPITAXY PROCESS 外延工艺概述 ? 外延工艺简述 ? 外延的优点 ?