模拟电子技术基础学习指导与习题解答.docx

第一章 思考题与习题解答 1-1 名词解释 半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N?型半导体、P?型半导体、PN?结。 解 半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来 做晶体管。 载流子——运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴， 它们都能参加导电。 空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每 一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚 进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力， 参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。 自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。 本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。 杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 N?型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷?P)，就形成含有大量电子的?N?型杂质半导体，又称电子 型杂质半导体，简称?N?型半导体。 P?型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼?B)，就形成含大量空穴的?P?型杂质半导体，又称空穴 型杂质半导体，简称?P?型半导体。 PN?结——将一块?P?型半导体与一块?N?型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面 上形成一个结，称为?PN?结。 1-3 选择填空(只填?a、b…以下类同) (1)在?PN?结不加外部电压时，扩散电流 漂移电流。(a.大于，b.小于，c.等于) (2)当?PN?结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽，b2. 变窄，c2.不变) (3)当?PN?结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽，b2. 变窄，c2.不变) 解 (1)c。(2)a1，b2。(3)b1，a2。 1-4 选择填空 (1)二极管电压从?0.65?V?增大?10%，流过的电流增大 。(a.10%，b.大于?10%，c.小于?10%) (2)稳压管 (a1.是二极管，b1.不是二极管，c1.是特殊的二极管)，它工作在 状态。(a2.正向导通， b2.反向截止，c2.反向击穿) (3)NPN?型和?PNP?型晶体管的区别是 。(a.由两种不同材料的硅和锗制成，b.掺入的杂质元素不同，c.P?区 和?N?区的位置不同) (4)场效应管是通过改变 (a1.栅极电流，?b1.栅源电压，?c1.漏源电压?)来改变漏极电流的，因此是一个 (a2.电流，b2.电压)控制的 (a3.电流源，b3.电压源)。 (5)晶体管电流由 (a1.多子，b1.少子，c1.两种载流子)组成，而场效应管的电流由 (a2.多子，b2. 少子，c2.两种载流子)组成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 (a3.大，b3.小，c3.差不多)。 (6)晶体管工作在放大区时，b-e?极间为 ，b-c?极间为 ；工作在饱和区时，b-e?极间为 ，b-c 极间为 。(a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置) 解 (1)b。(2)c1,c2。(3)c。(4)b1,b2,a3。(5)c1,a2,a3。(6)a,b;a,a?与?c。 1-5 回答下列问题 (1)为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压? (2)如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极?(提示：万用表的黑笔接表内直流电源的正极端，而 红笔接负极端) (3)比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍? 解 (1)如果二极管的正向电流超过最大整流电流就会进入过流区，容易烧管；如果超过最高反向工作电压容易造 成管子反向击穿。 (2)根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的性质。先假设二极管的阴、阳两个端，测量其电阻，将黑笔接假设的 阳极，红笔接假设的阴极，记录其阻值；再将黑、红笔交换位置，再测电阻，比较两次测得的阻值大小，若前者小于 后者，说明假设的阴、阳两极是对的，否则相反。 (3)死区电压：硅管的大于锗管的；反向电流：硅管的小于锗管的；最高反向工作电压：硅管的高于锗管的；工作 频率：锗管的高于硅管的。因为硅管的穿透电流?ICEO?比锗管的小得多，表现温度稳定性好，所以硅二极管应用得较 普遍。 1-6 回答问题 (1)有两个三极管，?A?管的???=200，?I  CEO =200?μA?,B?