射频微波隔直耦合电容的选择.pdfVIP

. 耦合电容的选取 耦合与隔直电容串联在电路中， 耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最 大限度的传输。 一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数： 串联谐振频率 FSR、并联谐振频率 FPR、纯阻抗 、等效串联电阻 ESR、插入损 耗 IL 和品质因数 Q 。 上图 50 Ω线路中的两个射频放大器由耦合电容 Co 连接， Rs 为 ESR，Ls 为 ESL，Cp 为寄生并联电容，与并联谐振频率 FPR有关。 阻抗幅值： Z ESR2 (X L - X C )2 ，很大一部分取决于其纯电抗 (X C - X L ) ， 设计者需要知道电容在整个频带上的阻抗幅值。 1 串联谐振频率： FSR ，即自谐振频率，与本征容值 Co 有关；此 2 LsCo 频率时，耦合电容阻抗的实部为 ESR，虚部为零。 ATC 耦合电容有关参数如下： 其中，瓷介质电容 ATC100A101 （100pF）的 FSR=1GHz，ESR=0.072Ω，其 Z-F 曲线如下图所示： . . 1 频率低于 FSR 时，电容纯阻抗表现为容性，阻抗幅值为 ，为双曲线； C 频率高于 FSR 时，电容纯阻抗表现为感性，阻抗幅值为 L ，为直线； 测量电容的 S21 可发现： 在 FSR 时，电容提供最低阻抗通道； 在 FPR 时，电容阻抗猛然升高，引起极大损耗。 在耦合线路中， 工作频率比 FSR 稍高。只要此时电容的纯阻抗 （感性）不高， 就不影响电路性能。 并联谐振频率 FPR ，决定电容的带内插损 。在电容的 FPR 处有明显衰减槽 口，若 FPR 落在工作频带内，则要考察衰减槽口深度，线路能否承受该损耗。 通常十分之几 dB 的插损是可接受的。 ATC100A101 （100pF 片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损 与频率关系如下图： 由上图可知，在 200MHz~1.5GHz 之间，电容插损＜ 0.1dB；若将电容垂直安 装，即电容极板垂直于线路板，就能压制 1.6GHz 处的并联谐振窗口，电容的可 用范围扩展到 2.4GHz 左右。所以 改变安装取向可扩展电容的适用频率范围，用 于宽带耦合电路。 等效串联电阻 ESR 和品质因数 Q ： ESR 是电容内所有串联损耗的总和，由介质损耗 RSD 和金属损耗 RSM 组成， 一般为 mΩ 级。 ESR RSD RSM 介质损耗 R SD ，由介质材料特性决定，每种介质材料都有自己的损耗系数， 通常称 损耗正切 或耗散系数 （DF）。损耗造成介质发热， 极端情况下使元件失效。 耗散系数（ DF）是介质损耗很好的指示，通常在低频（ 1MHz ）时测得，因为该 损耗在 低频时起主导作