汽车电工电子技术 任务３ 场效应晶体管和晶闸管 项目5-3场效应晶体管和晶闸管.pptVIP

项目五：常用半导体元器件 任务3-1 场效应管 任务3-2 晶闸管 返回主目录 任务3-1 场效应管 场效应晶体管，简称场效应管。 场效应管和晶体管的特点：场效应管是一种电压控制型器件。而晶体管是一种电流控制型器件。 优点：具有很高的输入电阻、热稳定性好、低噪声、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等。 分类：场效应管可分为结型和绝缘栅型两类，其中绝缘栅型（简称MOS管）应用更广泛 。 一、绝缘栅场效应管的结构及符号 MOS管：绝缘栅型场效应管是由金属、氧化物和半导体组成，因此又称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS管。 MOS管的分类：可分为增强型与耗尽型两种类型，每一种又分为N沟道和P沟道，即NMOS管和PMOS管。 增强型MOS管：图5-17为N沟道增强型MOS管结构示意图和图形符号，箭头向内表示N沟道。导电沟道的特点是原先没有导电沟道，在外电场的作用下才形成了导电沟道。 耗尽型MOS管： 图5-18为N沟道耗尽型MOS的结构示意图和图形符号。导电沟道的特点是在制造时就有一个原始导电沟道。 若是P沟道，则箭头朝外。 图5-17 N沟道增强型绝缘栅场效应管 a) 结构 b) 图形符号 结构 图形符号 图5-18 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 结构 图形符号 二、绝缘栅场效应管的特性 1．N沟道增强型MOS管特性 （5-6） （1）转移特性 图5-19a为某增强型NMOS管的转移特性曲线。当 时， ，这相当于晶体管输入特性曲线的死区；当 = 时，导电沟道开始形成，随着 的增大， 也增大，这说明 开始受到 的控制，它们之间的关系如下： 式中， 是 时的 （mA）， 称为NMOS管的开启电压（V）。 图5-19 增强型NMOS管的特性曲线 转移特性 输出特性 （2）输出特性 图5-19b为某增强型NMOS管的输出特性曲线。 3）截止区 当 时，场效应管工作在截止区，此时，漏极电流 极小，几乎不随 变化。 注意： 较大时，场效应管的 会急剧增大，如无限流措施，管子将被损坏，该区域叫击穿区，此时，场效应管已不能正常工作。 1）可变电阻区 在该区域， 越大，沟道电阻越小，故曲线越陡。在这个区域中，沟道电阻由 决定，故称可变电阻区。 2）恒流区（饱和区） 该区的特点是 已趋于饱和，具有恒流性质，所以又称饱和区。但 受 的控制。 增大，沟道电阻减小， 随之增加。 2．N沟道耗尽型MOS管特性 在 ≤ ≤0时，耗尽型场效应管的转移特性可近似表示为 为常数时，当 时，漏、源极间已经导通，流过 的是原始导电沟道的漏极电流 。当 0时，导电沟道变窄， 减小；当 达到一定负值时，导电沟道被夹断 ≈0，这时的 称为夹断电压，用 表示。图5-20a、b分别为N沟道耗尽型管的转移特性曲线和输出特性曲线。可见，耗尽型绝缘栅场效应管栅－源电压可正可负可零，一般情况下，这类管子工作在负栅－源电压的状态。 （5-7） 式中， 为 的漏极电流， 为夹断电压。 图5-20 耗尽型NMOS管特性 夹断电压 三、场效应管的主要参数 （1）开启电压 或夹断电压 当 为某固定值时，使漏极电流接近零时的栅—源电压即为开启电压 （增强型）或夹断电压 （耗尽型）。 （2）零偏漏极电流 当 为某固定值时，栅—源电压为零时的漏极电流。 （3）漏源击穿电压 当 增加，使 开始剧增时的 称为