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高速 MOS 驱动电路设计和应用指南 摘要 本篇论文的主要目的是来论证一种为高速开关应用而设计高性 能栅极驱动电路的系统研究方法。它是对“一 买齐”主题信息的收集， 用来解决设计中最常见的挑战。因此，各级的电力电子工程师对它都 应该感兴趣。 对最流行 电路解决方案和他们的性能 行了分析，这包括寄生部 分的影响、瞬态的和极限的工作情况。整篇文章开始于对 MOSFET 技 术和开关工作的概述，随后 行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。 仔细描述了设计过程中关于接地和高边栅极驱动电路、AC 耦合和变 压器隔离的解决方案。其中一个章节专门来解决同步整流器应用中栅 极驱动对 MOSFET 的要求。 另外，文章中还有一些一步一步的参数分析设计实例。 简介 MOSFET 是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 的 首字母缩写，它在 电子工业高频、高效率开关应用中是一种重要的元 件。或许人们会感到不可思议，但是 FET 是在 1930 年，大约比双极晶 体管早 20 年被发明出来。第一个信号电平 FET 晶体管制成于二十世 纪60 年代末期，而功率MOSFET 是在二十世纪80 年代开始被运用的。 如今,成千上万的MOSFET 晶体管集成在现代电子元件,从微型的到“离 散”功率晶体管。 本课题的研究重点是在各种开关模型功率转换应用中栅极驱动 对功率 MOSFET 的要求。 场效应晶体管技术 双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,， 两种类型晶体管均是电荷控制元件，即它们的输出电流和控制极半导 体内的 电荷量成比例。当这些器件被用作开关时，两者必须和低阻抗 源极的拉 电流和灌 电流分开，用以为控制极 电荷提供快速的注入和释 放。从这点看，MOS-FET 在不断的开关，当速度可以和双极晶体管相 比拟时，它被驱动的将十分的‘激烈 ’ 。理论上讲，双极晶体管和 MOSFET 的开关速度是基本相同的，这取决与载流子穿过半导体所 需的时间。在功率器件的典型值为 20 ~ 200 皮秒，但这个时间和器件 的尺寸大小有关。与双极结型晶体管相比，MOSFET 在数字技术应用 和功率应用上的普及和发展得益于它的两个优点。优点之一就是在高 频率开关应用中 MOSFET 使用比较方便。MOSFET 更加容易被驱动， 这是因为它的控制极和电流传导区是隔离开的，因此不需要一个持续 的电流来控制。一旦 MOSFET 导通后，它的驱动电流几乎为 0。另外， 在 MOSFET 中，控制电荷的积累和存留时间也大大的减小了。这基本 解决了设计中导通 电压降（和多余的控制电荷成反比）和关断时间之间 的矛盾。因此，MOSFET 技术以其更加简单的、高效的驱动电路使它 比晶体管设备具有更大的经济效益。 此外，有必要突出强调下，尤其是在 电源应用上，MOSFET 本身 具有阻抗特性。MOSFET 漏源端的 电压降和流经半导体的 电流成线 性关系。这种线性关系,以MOSFET 的RDS(on)表现出来，即导通阻抗。 对于一个给定的栅源 电压和温度的器件，其导通阻抗是恒定的。和 p-n 结-2.2mV/℃的温度系数相反，MOSFET 有一个正的温度系数，约 为 0.7% /℃ 到 1%/℃。MOSFET 的这一正温度系数使得它成为在大 功率电源应用的并联工作（由于使用一个器件是不实际或不可能的）上 的理想选择。由于 MOSFET 较好的温度系数，并联的管子通常是均分 电流。 电流的均分是自动实现的，这是因为它的温度系数作为一个缓 慢的负反馈系统。当电流较大时设备温度将会升高，但是不要忘记源 漏极间的电压是不变的，温度升高将会使源漏极间电阻变大，增大的 电阻又会使电流减小，因此管子的温度又会下降。最后，会达到一个 动态平衡，并联的管子都通过相同的 电流。在 电流分配中，源漏极导 通 电阻的初始值和有不同温度特性的结电阻在均分电流时将会引起 较大的误差，最高可达 30%。 器件类型 几乎所有的 MOSFET 制造厂商都有制造最佳管子的独特制造技 术，但所有这些在市场上的管子都可分为基本的三类，如图 1 所示。