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精品文档
第一章
一、选择题(请选择一个最合适的答案填入括号内)
1.
P 型半导体中的多数载流子是(
), N 型半导体中的多数载流子是(
)。
A. 自由电子
B. 空穴
C. 电荷
2.
当 PN结正偏时,空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比(
)。
A. 前者强于后者
B.
后者强于前者
C.
二者平衡
3.
二极管正向导通的条件是外加电压(
)。
A. 0
B.
死区电压
C.
击穿电压
D.
死区电压
4.
把一个二极管直接同一个电动势为
1.5V ,内阻为零的电池正向连接,该管(
)。
A. 击穿
B.
电流为零
C.
电流正常
D.电流过大使管子烧坏
在本征半导体中加入 _____元素可形成 N型半导体,加入 _____元素可形成 P 型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价 D. 二价
6. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 _____
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 置零
工作在放大区的某三极管,如果当 I B 从 12 μA 增大到 22μ A 时, Ic 从 1mA变为 2mA,那么它的 β 值约为 _____
A.83 B.91 C.100 D. 110
8. 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA变为 4mA时,它的低频跨导 gm将 ______
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 置零
9. 当晶体管工作在放大区时,发射结和集电结的电压应为( )。
A. 前者反偏,后者反偏 B. 前者正偏,后者反偏 C. 前者正偏,后者正偏
10.V GS=0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A. 结型管 B. 增强型 MOS管 C. 耗尽型 MOS管
二、简答题:
1.在温度 20℃时,某晶体管的 ICBO 2 A ,试问温度在 60℃时 ICBO 约为多少?
三极管的安全工作区受那些极限参数的限制?使用时,如果超过某项极限参数,分别会产生什么后果?
3.在用万用表测量二极管的正向电阻时,常发现用不同欧姆档测出的电阻值不相同,用 × 10 挡测出的阻
值小,用用 × 100 挡测出的阻值大,这是什么道理?
4.能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?
有两只晶体管,一只的β= 200, I CEO= 200μ A ;另一只的 β= 100, I CEO= 10μA ,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?
三、综合题
1. 在图 1.16 所示的电路中, ui 是波形不整齐的输入电压,设 D 为理想二极管;画出输出电压的波形。
D
ui
+
+
ui
RL u o
V
-
-
t
V 0
图 1.16
2. 二极管双向限幅电路如图 1.17(a) 所示。若输入 ui 为图 1.17 (b) 所示的三角波,试画出 u0 的波形。设二
极管的正向压降为 0.7V 。
.
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图 1.17
3. 稳压二极管电路如图
1.18 所示,已知稳压管的
U Z6V ,限流电阻 R 100 。
(1)
当 RL
200
时,稳压管的 I Z
? U0
?
(2)
当 RL
50 时,稳压管 I Z ?
U0
?
1.18
4.如图 1.19 所示,设二极管正向压降为 0.7V ,E2=5V,当 E1 分别为 2V、5V、10V 时,求 A 点的电压 U A 各等于多少?如果 E1 的电压继续增加, A 点电压的最大值 UAmax =?
1.19
分别测得两个三极管的各极电位如图1.20 所示,试识别它们的管脚, 并判断这两个管子是 NPN型还是 PNP
型,硅管还是锗管。
.
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图 1.20
6. 某放大电路中晶体管 (BJT) 三个电极 A、 B、 C 的电流如图 1.21 所示。用万用表直流电流档测得
I A 2mA, I B 0.04mA, I C 2.04mA 。试分析 A、B、C 中哪个是基极 b、发射极 e、集电极 c,并说明
此管是 NPN管还是 PNP管,它的 ?
1.21
7. 晶体管电路如图 1.22 所示。管子的门限电压 U BE 0.7V , 50 。当输出电压 ui 从 0 随时间线性增大到
10V 时,试画出 u 0 对应 ui 变化的波形。
1.22
8. 电路如图 1.23(a) 所示,场效应管的输出特性如图
1.23(b) 所示。分析当 ui
4V 、 8V、 12V 三种情况下
场效应管分别工作在什么区域。
.
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1.23
1.3.2 答案
一、 1 ( B)( A) 2 ( A)3 ( B)4 ( D) 5 ( A)( C) 6 ( A) 7( C) 8 ( A)
二、 1. 解
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