3.4 电压与电流的容限设置
静态非理想分析:
高电平与低电平容许在什么范
围内变化?
输出电流的容许变化范围又如
何确定?
3.4 电压与电流的容限设置
理想电平与输出电平
输出通过P网络或N网
络获取输出电平.
网络上可能存在压降.
输出电平与理想电平之
间存在差距.
应该如何界定输入与
输出电平的高低?
3.4 电压与电流的容限设置
MOS 器件的静态分析
栅极电压吸引载流子形成导电沟道;
沟道导电能力与栅极电压有关。
导电能力与载流子数量正比;
载流子数量与电压成指数关系;
R R0 exp kV
3.4 电压与电流的容限设置
随着输入电压变
化,上下沟道电阻
变化,输出电压也
发生变化。
3.4 电压与电流的容限设置
CMOS 器件电压转移特性
输入电压与输出电压的变化关系表现为非线性变化
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3.4 电压与电流的容限设置
电压转移特性中的放大区
在电压转移曲线中选取斜率为-1的点,分别向坐标轴引水
平线和垂直线,可以标记出输入与输出的放大区
3.4 电压与电流的容限设置
电平容限的设定
放大区的两边则设定为电平容限区域
3.4 电压与电流的容限设置
电平容限的设定
V V V
OH cc OH min
V V
OL OL max
V V V
IH cc IL min
V V
IL IL max
3.4 电压与电流的容限设置
)
电平容限设置特点
输入容限宽松, 输出容限严格;
输入容限内的噪声波动通过器件受到衰减;
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