DB13∕T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片(河北省).pdfVIP

TCS 01. 040. 27 F 12 DB13 h E tTJ 巳 北 河 省 标 准 方 DB13/T 1314一-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片 2010-11-15 发布 2010- 11 -25 实施 河北省质量技术监督局 发布 DB13/T 1314-2010 目IJ 1=1 本标准按照GB/T 1. 1-2009给山的规则起草。 本标准由邢白市质量技术监督局提出。 本标准起草单位:晶龙实业集团有限公司、宁晋县质量技术监督局。 本标准主要起草人员:任内彦、安增E见、相1I 志强、颜;志峰、刘彦朋。 DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片 1 范围 本标准规定了太阳能级旺单晶方棒、单晶石幸片的术语和定义、产品分类、原料要求、技术要求、试 验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。 本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶石字方棒、单晶旺片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的号|用文件，其最新版本(包括所旬的修改单)适用于本文件。 GB/T 1.5.54 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验h法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第一部分:技接受质量限 CAQU 检索的运批检验抽样计划 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试右法 GB/T 6620 硅片翘由度非接触式测试力法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量H 测检验h法 GBIT 191 包装储运图示标志 3 术语和定义 3. 1 缺口 indent 指贯穿单晶硅片边缘的缺拙。 3. 2 亮边 bright Point Edge 指单晶硅h 侧棱上的连续缺损区域。 3. 3 崩边 edge crack 指单晶硅片边缘EX;表面未贯穿单品硅片的局部缺损区域，当崩JJl在单晶硅片 边缘产午时，其尺寸由 径向深度和周边住长给出。 3. 4 裂纹 crack 指延伸到单晶旺片表面，员穿或不贯穿单晶石士片厚度的解理或裂痕。 DB13/T 1314-2010 3. 5 划m scratch 指单晶硅片在白炽灯或荧光灯下，肉gR 明显可见的问陷状划伤。 3. 6 线m saw mark 指切割时在单晶硅片表而罔下的轻微不放1 则凹产1 直线状痕迹C 3. 7 弧宽度偏差 chamfer width departure 单晶硅方棒、单晶硅片的四个因弧中所对应的最大弦长Lj最小弦长的差。 4 产品分类 4. 1 分类 单晶佳方棒、单晶硅片j主