二极管的特性PPT课件.pptVIP

Gulf Semiconductor Ltd. * 静电冲击－ESD 测 试 方 法 Gulf Semiconductor Ltd. * 静电冲击－ESD 能 力 标 准 * 上升 Gulf Semiconductor Ltd. * 顺向恢复电压与时间－ VFRM/TFR 影响因素： Vfrm (1) 越高压的二极管的Vfrm越高 (2) 当温度越高时，其Vfrm越高 (3) 当电流密度增加时，其Vfrm也会增高 Tfr: (1) 当温度越高时，其Tfr也会增加，时间变慢 (2) 当电流密度增加时，其Tfr也会增高 (3)当电流斜率增快时，其Tfr会减少 Gulf Semiconductor Ltd. * 顺向恢复电压与时间－ VFRM/TFR 1，高频开关电源开关整流中，影响功耗,产生热量； 2， 在电源输出整流中，影响输出功率； 3，部分特殊应用要求Vfrm,Tfr值上升； 4，替代SKY产品时Vfrm,Tfr下降 案例1： ASTEC, Boost diode 应用波形实例计算。 案例2： ASTEC, 选用FR202