电子技术基础模拟部分第章.docx

5场效应管放大电路 5.1金属■氧化物?半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) *5?4碑化锡金属?半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较 场效应管的分类:MOSFETr (IGFET)FET场效应管绝缘栅型r N沟道 场效应管的分类: MOSFET r (IGFET) FET 场效应管 绝缘栅型 r N沟道 I p沟道 r N沟道 t P沟道 I JFET 结型 N沟道 P沟道 （耗尽型） 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 5.1金属■氧化物■半导体 (MOS)场效应管 N沟道增强型M OSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET 5.1.4沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 :绝缘层厚度 1 ?结构(N沟道) 通常WL 漏极d 绝缘体 沟道栅极- 1氧化硅绝缘a 钳电极 (A1) P型衬底 home 齐称为开启电 齐称为开启电 5.1.1 N沟道增强型M OSFET 2.工作原理 （1）%s对沟道的控制作用 当时 无导电沟道，d. s间加电压时r也 无电流产生。 当Ov%s v舛时 产生电场,但未形成导电沟道（感生沟 道），* s间加电压后f没有电流产生。 当％S ＞舛时 在电场作用下产生导电沟道f d、S间加 电压后，将有电流产生。 %s越大，导电沟道越厚 (2) %s对沟道的控制作用 当％s—定(％s ＞舛)时， 厶T -＞沟道电位梯度T T靠近漏极H处的电位升高 T电场强度减小-沟道变薄 整个沟道呈楔形分布 ^DD―cd ^DD ―c d m迅速增卡 1 n+ S ZZZZZj^ N型（感生）沟道 P (2) %s对沟道的控制作用当％s—定(％s ＞舛)时， -沟道电位梯度T 当％S増加到使％D二舛时/ 在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处:vGD = vGS-vDS =14  衬底引线/:)饱和 衬底引线 /:)饱和 （2） %s对沟道的控制作用 预夹断后,pdsT-＞夹断区延长 T沟道电阻T T沧基本不变 Dds ^DD S d S d d-rza2z N+ ； 、厂厂尸戸夢/厶 亦区 P ^DD ^DD (3) %s和％s冋时作用时 %s—定/ %s变化时 给定—个Pgs ”就有—条不同 的D - ^DS曲线。 (D输出特性及大信号特性方程 ^D=/(^DS) vGS =const. 预夹断临界点轨迹 Z￡/mA “DS = yGS — J 8(或 PGD = %S — “DS = f T) ①截止区 当％s V Vt时，导电沟道尚 未形成Jd = 0 ,为截止工 作状态。 （D输出特性及大信号特性方程 “D = Z（^DS） ②可变电阻区 ^DS “D = / [2（PGS — VT ） VDS - D 2Kn （%S 一 “T D 2Kn （%S 一 “T）°DS _加DS rdso — t ? 必D °。是一个受％s控制的可变电阻 (1)输出特性及大信号特性方程 ②可变电阻区‘D 总 2瞌（VGS (1)输出特性及大信号特性方程 ②可变电阻区 ‘D 总 2瞌（VGS — VT） 7^ DS zi）/niA 1 8 - 仏 2Kn（%s-Vr） 6 - 其中 _K： W_“G w 4 - n 2 L 2 丿 2 - 0 [饱和区 6 V [ 5V I c D 4V %s=3V “DS‘V % :反型层中电子迁移率 Cox :栅极(与衬底间)氧 化层单位面积电容  预夹断临界点轨迹 %S = “GS — 1 G(或 ％D = VGS ~VDS= J T) 可变电阻区h A 7V * 年止区订 5 10 15 20 Kn=“nC°x本征电导因子 心为电导常数,单位:R1A/V2 (D输出特性及大信号特性方程 (恒流区又称放大区) zo/niA VGS ＞舛且PdS》(岭S %） 8 //特性: 6? 4? =KM （沪-1）2 2? do（沪-厅 VT 0* 预夹断临界点轨迹 %S = VGS ~ 1 G(或 VGD = VGS ~VDS= T) 可变电阻区h A B I c D |饱和区6 V 7V 5V 4V %s=3V ” 年止区订 20 5 10 15 “DS‘V Ino=KnV^是％ = 2舛时的心 (2)转移特性 rDS =const. zD/mA 预夹断临界点轨迹 “DS = “GS — J G(或 PGD = “GS — “DS = T) 可变电阻区人a 6- B I c 4? D 2T ［饱和区6 V 7V 5V 4V %s=3V * 年止区订 5 10 15 20 1?结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅 V比F卜H