电子技术基础培训教材.docx

7.存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1只读存储器 7.2随机存取存储器 7.3复杂可编程逻辑器件 *7.4现场可编程门阵列 *7.5用EDA技术和可编程器件的设计 例题 教学基本要求: ?掌握半导体存储器字、位.存储容量.地址.等基 本概念。 ?掌握RAM. ROM的工作原理及典型应用。 ?了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 ?了解CPLD. FPGA的结构及实现逻辑功能的编程 原理。 概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 存储器的主要性能指标 存储数据量大一^储容量大 取快速度——存储时间短 可编程逻辑器件是一种通用器件,其逻辑功能是由用户 通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵 活、处理速度快、可靠性高等优点。 7.1只读存储器 7.1.1 ROM的定义与基本结构 7.1.2两维译码 7.1.3可编程ROM 7.1.4集成电路ROM ROM的读操作与时序图 ROM的应用举例 7?1只读存储器 RAM(Random-Access Memory)SRAM (Static RAM):静态 RAM (Random-Access Memory) ROMJ (Read-Only Memory)DRAM (Dynamic RAM):动态RAM 定 ROM J (Read-Only Memory) PROM 可编程ROMEPROM E2 可编程ROM RAM（随机存取存储器）:在运行状态可以随时逬行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存，一旦掉电，数据全部丢失。 ROM（只读存储器）:在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 几个基本概念: 字长(位数):表示一个信息多位二进制码称为一个字, 字的位数称为字长。 字数:字的总量。字数=2 ( n为存储器外部地址线的线数) 地址:每个字的编号。 存储容量(M):存储二值信息的总量。存储容量(M)=字数x位数 As 人6 人7 和——As —a2 —Ai —Ao 和—— As — a2 — Ai — Ao — X。r t r t t- r r n . _r 1 F t r L X】「 」L 1 r 」L T r 」L i r 」L 1 r 」L i r 」L 1 r 」L T r 十? ? ? -fc t_ r 」L i r 」L T r 」L 1 r J L ■ 」L 」L 」L 」L 」L 」L 」L 」■ ■ ■ L 」L 」L 」L J 列地址译码器 码 器 ■ Xn r 1 t r 1 t r 1 i r 1 1 t r 1 i r 1 i r 1 t r 1 1 r t r 1 1 t r i r 1 L 」L 」L 」L 」L 」L 」L 」L ? ? ?弋 」L J L 」L J 行 地 址 译 7.1 .1 ROM的定义与基本结构 只读存储器,工作时内容只能读出,不能随时写入,所以 称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按存贮单元中器件划分 「二极管ROM彳三极管ROM -MOS管ROM 按写入情况划分 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 7.1.1 ROM的定义与基本结构 !EI 地址译码器 1） ROM （二极管PROM）结构示意图 +5V M=4x4 地址译码器匸 Y（） Ai Yi Ao Y2 2线-4线 译码器丫3 存储矩阵 丿 j ； W 丄 : 、 丿 滾出控十7『科带 ■ OE—— ￡3 。2 Di D（） 地址内容1 地址 内容 1 ^0 D3 D^D^Do 0 0 0 1 1 0 1 1 当丽=0时 ?字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存］”无二极管相当存0 当呢=1时输出为高阻状态 该存储器的容量二? 28x 1=256 D 7.1.3 可编程ROM ( 256x1位EPROM ) 256个存储单元排成16x16的矩阵 行译码器从16行中选出要 读的一行 心 列译码器再从选中的一行存: 储单元中选出要读的一列的- 一个存储单元。 入 如选中的存储单元的MOS管；： _ Ao 的浮栅注入了电荷,该管截 V DD Wo 止 读得1;相反读得0 EZ 行地址译码器 列地址详码器 16X 16 存储矩阵 —I— 5 输m缓冲器 ^^1 ^^^1 iiBii It I I 7.1.4集成电路ROM AT27C010 f D7 ?Dq 128K8 位 ROM Vpp匚 1 32 □ Vcc A16匚 2 31 □ PGM A15E 3 30 □ NC A12E 4 29 □ A14 A7E 5 28 □ A13 A6匚 6 卜 27 □ A8 A5匚 7 占26 □ A9 A4匚