电子技术基础康华光场效应管放大电路.docx

5.1金属■氧化物-半导体场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管 5.4各种放大器件电路性能比较 按结构不同场效应管有两种: 增强型 耗尽型 MOSFET J 场效应管 FET Field Effect Transistor 3 JFET 结型 J p沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 （耗尽型） 5.1金属■氧化物■半导体 (MOS)场效应管 N沟道增强型M OSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET MOSFET的主要参数 5-1-1 N沟道增强型M OSFET i-结构 源极 栅极 漏极S 源极 栅极 漏极 S G D P型硅衬底 片之间是绝缘的，栅极 栅极和其它电极及硅 电流几乎为零，输入电 阻很高，最高可达 1015°,故称绝缘栅型 场效应管(IGFET)o 又称金属■氧化物?半导 丄 体场效应管(MOSFET) o 亘衬底引线 剖面图 2.工作原理 （1）pgs对沟道的控制作用 由结构图可见，N+型漏区和N+ 型源区之间被P型衬底隔开，漏极 和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压gs = O时，不管漏 极和源极之间所加电压的极性如 何，其中总有一个PN结是反向 偏置的，漏极电流近似为零。 ，别——学 G △ P型硅衬底 B S十 当Vgs°时， taaa 产生电场，排斥空穴而吸引电子。 当》GS “T 时、 型沟道 P 型沟道 P型硅衬底 D、S间加电压后，将有电流产生。 rT称为开启电压 pgs越大，导电沟道越厚 必须依靠栅源电压的作用,才能形成导电沟道的FET称为 必须依靠栅源电压的作用, 才能形成导电沟道的FET 称为增强型FET。 d ? I― 衬底 。 I o C 1|_ B s A 符号 %s=时,没有导电沟道 (2) %s对沟道的控制作用 当》GS一定(VGSVT)时, PDS^ T，dT 产生沟道电位梯度，靠近 漏极d处的电位升高，电场 强度减小，沟道变薄。 整个沟道呈楔形分布。 迅速增大 ?| p—P ?| p— P型硅衬底夹断区 在预夹断处: vgd=fgsvds =^t (2) %s对沟道的控制作用 当bs增加到使VGD=yT时/ 在紧靠漏极处出现预夹断。 预夹断后，卩dsTt夹断区延长T沟道电阻基本不变 HOME (3 ) 和》GS同时作用时 VGD=V VGD=VGSVDS 当VGS “T时，卩GS越小导 改变卩GS的值，「D的饱和值 随之改变。 P型硅衬底给定一个^GS、就有—条不同的- VDS曲线。 P型硅衬底 漏极电流b的饱和值与栅源电压pgs有关。所以, 场效 应管是一种电压控制电流的器件。 10 - 综上分析可知: ?场效应管是电压控制电流器件，b受卩GS控制。 所以温度稳定?沟道中只有一种类型的载流子参与导电, 性好，场效应管也称为单 所以温度稳定 ?场效应管的输入电阻高，基本上不需要信号源提供电流。 11 3.特性曲线 （1）输出特性 ZD ZD = f (VDS) 「gs 二const. ①截止区 ?GsV 导电沟道尚未形成1D=O,为截止状态。 HOME ZD.II1A 8- 预夹断临界点轨迹 %S = VGS~ 1 G(或 ％D = VGS ~VDS= J T) 可变电阻区h A 7V 6- B 5V I c 4? 4V D %s=3V 2H 0 |饱和区6 V 15 20 El 截止区 5 10 “DS‘V 截止区 ②可变电阻区 r d ▲ ■ F h 破电RB VGD = VGS - VDS — “T 即怯辭预濟断前 与呈近似线性关系 FET可看作受怙控制的可变电阻 li ZD.II1A 可变 8- 6 - 4? 2H ［饱和区6V B 5V I c D 预夹断临界点轨迹 IS = “GS —】G（或 ％D = “GS~VDS=坷） 区片A 7V 4V %s=3V ” 年止区订 20 5 10 15 “DS‘V ②可变电阻区 d Q 2Kr (vgs — ) vDS ③饱和区（恒流区/放大区） ZD.II1A 且》DS VGS “T 8- 预夹断临界点轨迹 %S = “GS — 1 G（或 ％D = VGS ~VDS= J T） 可变电阻区人 沟道预夹断后 「D达到饱和，只与有关 2厂心（％-岭）2 =心 0 2 6- B I c 4? D 22- ［饱和区6V 7V 5V 4V %s=3V ” 年止区订 20 5 10 15 “DS‘V HOME Ido=KM 是vgs=2Vt时咕的饱和值 ⑵ 转移特性 zD =/(vGS)|VDs=const 当GS“T, 当GS“T,且VdS^GS—“T时, zD zD/niA 预夹断临界点轨迹 “DS = °GS ~ J G(或 VGD = %S ~vDS=fT)