电子技术基础数字部分华中科技大学：半导体器件.docx

第3、4章丰导体二极管利三朝管 半导体的导电特性 PN结 半导体二极管 半导体三极管 总目录 章目录 返回 上一页 下一页 I I削子找术 ? dl an z I 导体、半导体和绝缘体 HL导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。 HL 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如错、硅、碑化稼 和一些硫化物、氧化物等。 3.1丰导体的导亀特性 半导体的导电特性： iffa%fn #i热敏性： if fa% fn #i 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化（可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等）。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变（可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 总目录 章目录 返回 上一页 下一页 3.1.1本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构 半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价键中的两个电子，称为价电子。 C1匚 本征半导体的导电机理 价电子在获得一定能量 （温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成 为自由电子（带负电），同 时共价键中留下一个空位, 称为空穴（带正电） 这一现象称为本征激发。 温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流 ⑴自由电子作定向运动T电子电流 (2)价电子递补空穴T空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复 合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意. Niii(1)玉征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差； ⑵温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 Niii 总目录 章目录 返回 上一页 下一页 I削子找术 I削子找术 ? dl an z I 3.1.2 N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）， 形成杂质半导体。（在常温下即可r 、、卜乞变为自由电子 掺入五价元素 掺杂后自由电子数目 大量增加，自由电子导电 成为这种半导体的主要导 电方式，称为电子半导体 或N型半导体。 在N型半导体中自由电子 是多数载流子，空穴是少数 载流子。 SixSi3.1.2 N型半导体和P型半导体 Si x Si 掺入三价元素 掺杂后空穴数目大量 增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在P型半导体中空穴是多 数载流子自由电子是少数 载流子。 硼原子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 硼原子 3.当温度升高时，少子的数量 3.当温度升高时，少子的数量 L在杂质半导体中多子的数量与 （a?掺杂浓度、b?温度）有关。 2.在杂质半导体中少子的数量与 （a?掺杂浓度、b?温度）有关。 （a?减少、b?不变、g增多） 4?在外加电压的作用下，P型半导体中的电流 =1主要是」 =1 主要是」—，N型半导体中的电流主要是 l=J （a.电子电流、b?空穴电流） 总目录 章目录 返回 上一页 下一页 321 PN结的形成空间电荷区也称PN结少子的漂移运动P型半导体半导体 321 PN结的形成 空间电荷区也称PN结 少子的漂移运动 P型半导体 半导体 @GGG：@G 0 O 0 O(- GGG@;GG O 0 9 0 O ； GGGGQG 0 0 0 O GGGGiGG O O O O I / QG)：Q QQ? ? ? ? ? ? Q^)QQQ ? ? ? ? @Qk)?°G)? I ? ? ? ? Q Q\Q)Q Q)Q I ? ? ? ? 差。二参子的扩散运动 扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。 形成空间电荷区扩散的结果使空 间电荷区变宽。i电子枚术 Z I 内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。 形成空间电荷区 扩散的结果使空 间电荷区变宽。 322 PN结的单向导电性 1?PN结加正向电压（正向偏置）P接正、N接负 PN结变窄 G G G G G ：G④④④④④④ G G G G G ：G ④④④④④④ ? ? G G G G G o o _1 ? i ’ 4 ? 0 Q? ? ? 1 *4-^-? i -内电场 N ?外电场 P 一片