《分界面的衔接条件边值条件》.pptVIP

下 页 上 页 ? R1 R2 U 解二 解边值问题，场为轴对称，取圆柱坐标 通解 边界条件 图示长度为l 的同轴电缆（lR），内外导体带电荷?Q，求内外导体间的电场分布。 下 页 上 页 返 回 例 解一 应用高斯定律，以外导体为电位参考 ? R1 R2 Q -Q 解二 解边值问题， 通解 边界条件 图示充以两种介质的无限长同轴电缆，内导体加电压U，外导体接地，求内外导体间的电场分布。 下 页 上 页 返 回 例 ?1 ?2 R1 R2 R3 解 解边值问题， 通解 边界条件 通解 试求体电荷产生的电位及电场。 采用球坐标系,分区域建立方程 边界条件 参考电位 下 页 上 页 返 回 体电荷分布的球体 例 解 电场强度（球坐标梯度公式）： 得到 随r变化曲线 下 页 上 页 返 回 例 z方向无限长的矩形金属槽如图所示，在x=0，x=d和y=0的边界上电位均为零, 在y=h的边界上, 试写出金属槽内电场的位函数边值问题方程及其通解表达式（不需求解待定系数）。（4分） d h X Y 0V 0V 0 0V 0V 0xd 0yh x=0 x=d y=0 y=h 4.边值问题的分析方法概述 边值问题的求解 解析法 数值法 有限差分法 有限元法 间接法 球坐标系 分离变量法 直角坐标系 圆柱坐标系 保角变换法 复位函数法 复变函数法 （二维平面场） 镜像法（电轴法） 边界元法 矩量法 直接解方程 1-5 1-7 1-6 分界面的衔接条件边值条件 本讲主要内容 或 1. 分界面衔接条件 2. 边值问题及其分类 3. 边值问题的建立（难点*） 4. 边值问题分析方法概述 上一讲主要内容回顾 1. 源点、场点的概念 2. 电场强度、电位的积分公式 3. 电场强度与电位的对应关系 4. 导体、电介质在电场中的性质。 5. 极化电荷的作用及其分布。 6. 真空与电介质中的高斯定理及其应用。 1-3 静电场基本方程 与分界面上的衔接条件 1. 积分形式的基本方程（物理中学过） 2. 微分形式的基本方程（重点） 3. 两种介质分界面的衔接条件（难点） 1. 积分形式的基本方程 静电系统的守恒定律。 表明基本变量E在闭合回路上的环流特性，说明静电场是一种守恒性的矢量场。 高斯定律。 表明基本变量D在闭合面S上的通量特性。 介质特性方程。 2. 微分形式的基本方程 由高斯散度定理可得 由斯托克斯定理有 它表明基本变量E在闭合回线上的环量特性。 表明源（电荷）与场 之间的对应关系。 小结： 静电场是有源场。 静电场是无旋场。 介质特性方程 例题 例 解一：电场明显具有球对称性，D沿半径方向 且大小只是r的函数。球的电荷总量为 例 (解法一结果) 当r=a时，同理可得： 当r=a时，应用积分形式的高斯定律，可求得 3.两种介质交界面的衔接条件 介质中静电场的基本方程 D2 D1 E1 E2 1)交界面法线方向的衔接条件 柱面hS D2n D1n D2t D1t 式中σ是分界面上 的自由电荷密度。当分界面上没有自由电荷时，有 对于此闭合面，高斯通量定律写成 或写成 D2 D1 n 例 (解法二) 解：利用微分形式的散度方程求解。 对于球外的点(r=a), 有： 对于球内的点(r=a)，散度方程为： (r=a) (r=a) 由边界条件可知，当r=a时，D1=D2 C1=0 (r=a) 对比 (r=a) 确定系数C1、C2 由于r 0时电场应为有限值 例 计算均匀电荷面密度为σ的无限大平面的电场。 解：如图所示取柱形闭合面 无限大 对称、均匀 注意侧面上D0 的通量为零。因此求得D0=σ/2 ,用矢量式表示时，为 根据高斯定律 2)分界面切线方向的衔接条件 E2n E1n E2t E1t 电场强度在矩形回路上的环量为零 E1 E2 导体表面是等位面，E 线与导体表面垂直； 导体与电介质分界面 例 解 导体中 E1＝0 ，D1=0 导体表面上任一点的 D 等于该点的 ?。 下 页 上 页 试写出导体与电介质分界面上的衔接条件。 分界面衔接条件 分解面介质侧 表明 介质分界面衔接条件小结 当分界面上没有自由电荷时，有 或 折射定律 忽略边缘效应 图(a) 图(b) 试求两个平板电容器的电场强度。 下 页 上 页 平行板电容器 例 解 1-4 静电场边值