12双端MOS电容结构.ppt

2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1.4 平带电压 本节内容 ? 平带电压定义 ? 半导体表面能带弯曲可能原因和物理过程 ? 平带电压推导 ? 平带电压影响因素 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 平带电压 : 能带弯曲的动因 ? MOS 结构中半导体表面能带弯曲的动因 ? 金属与半导体之间加有电压（栅压） ? 半导体与金属之间存在功函数差 ? 氧化层中存在正的空间电荷 可动电荷：工艺引入的金属离子 陷阱电荷：辐照 SiSio2 界面存在的正的固定电荷： 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 平带电压 : 固定电荷成因 ? SiSiO 2 界面存在的正的固定电荷（面电荷密度 Qss‘ ） 1 、固定电荷面密度大小与掺杂类型和浓度基本无关，而与硅晶面 111 ， 110 ， 100 共价键密度大小顺序相同。 2 、通常为氧化条件的函数，可通过在氩气和氮气中对氧化物退火 来改变这种电荷密度。 3 、氧化层中固定电荷在位置上表现的很靠近氧化物－半导体界面。 形成原因：推测和 SiSiO 2 界面的形成有关，界面存在过剩硅离子。 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 平带电压 : 定义 ? 平带电压 V FB 定义：使半导体表面能带无弯曲需 施加的栅电压 来源：金属与半导体之间的功函数差， 氧化层中的正的固定电荷 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 平带电压 : 公式 ms s ox s s ox ox s ox G V V V V V ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ) ( ) ( 0 0 栅电压 ox ss ox m ox ss m C Q C Q V Q Q 0 ? ? ? ? ? 电中性条件 ox ss ms G FB C Q V V s | 0 ? ? ? ? ? ? 平带电压 ) 0 0 0 ? ? ? 恒 （ ，则 若 ss FB ms Q V ? V ox0 + ? s0 =- ? ms 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 11. 金属氧化物半导体场效应晶体管基础 11.1 双端 MOS 结构 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 本节内容 ? 1.1.1 能带图 ? 1.1.2 耗尽层厚度 ? 1.1.3 功函数差 ? 1.1.4 平带电压 ? 1.1.5 阈值电压 ? 1.1.6 电荷分布 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 MOS 电容结构 氧化层厚度 氧化层介电常数 Al 或高掺杂的 多晶 Si n 型 Si 或 p 型 Si SiO 2 MOS 结构具有 Q 随 V 变化的电容效应，形成 MOS 电容 d ox ? 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 实际的铝线 - 氧化层 - 半导体 ? （ M: 约 10000A O:250A S: 约 0.5~1mm ） 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容 理想 MOS 电容结构特点 ? 绝缘层是理想的，不存在任何电荷，绝对不导电； ? 半导体足够厚，不管加什么栅电压，在到达接触点之 前总有一个零电场区（硅体区） ? 绝缘层与半导体界面处不存在界面陷阱电荷； ? 金属与半导体之间不存在功函数差。 2020/1/8 XIDIAN UNIVERSI