微机原理及应用_存储器.ppt

北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 32 译码和译码器 全部 CPU 高位地址参与译码，称之为 全译码 。全 译码方式能保证每个存储单元地址唯一。 若只选择 CPU 一部分高位地址参与译码，这称为 部分译玛 。每个存储单元会有多个地址对应， 地址译码可以选择专用芯片，在微机系统中常用 的有 74LS138 （称 3-8 译码器）。 真值表 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 33 74LS138 真值表 74LS138 C B A Y 0 ~Y 7 +5V G 2B GND G 2A G 1 G 1 G 2 A G 2 B CBA 输 出 Y 0 Y 1 Y 2 Y 3 Y 4 Y 5 Y 6 Y 7 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 ＝0，其余全部为1 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 34 应用举例 D0~D7 A 0 A 12 ? ? ? WE OE CS 1 CS 2 ? ? ? A 0 A 12 MEMW MEMR D0~D7 A 19 G 1 G 2A G 2B C B A & & A 18 A 14 A 13 A 17 A 16 A 15 VCC Y 0 74LS138 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 35 应用举例 A 19 A 18 A 17 A 16 A 15 A 14 A 13 0 0 1 1 1 1 1 地址范围： 3E000H-3FFFFH A 12 A 11 ----A 0 X 000H----FFFH 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 36 应用举例 A 19 A 18 A 17 A 16 A 15 A 14 A 13 0 0 1 1 1 1 1 地址范围： 3E000H-3FFFFH A 12 A 11 ----A 0 X 000H---- FFFH 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 37 应用举例 A 19 A 18 A 17 A 16 A 15 A 14 A 13 1 X 1 X 1 1 1 地址范围： AE000H-AFFFFH BE000H-BEFFFH EE000H-EFFFFH FE000H-FFFFFH A 12 A 11 ----A 0 X 000H----FFFH 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 38 其它典型芯片举例 SRAM 芯片 HM 6116( 简称 6116 ） —— 静态随机 存取存储器， 11 条地址线， 8 位数据线， 3 条控制线， 两条电源线，单片存储容量 2K × 8 。 6116 A 0 ~A 10 +5V GND CS I/O 0 ~I/O 7 WE OE CS 片 选 信 号 OE 输 出 允 许 信 号 WE 写 允 许 信 号 方 式 I / O 引 脚 H × × 未 选 中 高 阻 L L H 读 出 D O U T L × L 写 入 D I N 常用的 SRAM 还有 6232 ， 62256 ，适用于较小系统。 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 39 应用举例 ? 用存储器芯片 SRAM 6116 构成一个 4KB 的存储器。 要求其地址范围为： 78000H~78FFFH G 1 =1 G 2A =G 2B =0 时，译码 器处于使能状态。 A 、 B 和 C 三条线的输入 决定 Y 0 – Y 7 的状态。 A 19 A 18 A 17 A 16 A 15 A 14 A 13 A 12 A 11 0 1 1 1 1 0 C B A 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 40 二、动态随机存储器 DRAM 特点： 存储元主要由电容构成，由于电容存在的漏电现象而使 其存储的信息不稳定，故 DRAM 芯片需要定时刷新 原理 : 北 京 理 工 大 学 宇 航 学 院 飞 行 器 系 41 典型芯片举例 DRAM 芯片 Intel 2164A — 动态随机存取存储 器， 8 条地址线， 2 位数据线 ( 输出和输