模拟电子技术试卷试题及答案.docVIP

  • 30
  • 0
  • 约1.32万字
  • 约 27页
  • 2020-11-01 发布于山东
  • 举报
精品文档 练习一 一、填空 (16 分 ) 1.半导体二极管的主要特性是 ___________ 。 2.三极管工作在放大区时,发射结为 ____ 偏置,集电结为 _____偏置;工作在饱和区时发射结为 ___偏置,集电结为 ____偏置。 3.当输入信号频率为 fL 和 fH 时,放大倍数的幅值约下降为中频时的 __倍,或者是下降了 __dB,此时与中频时相比, 放大倍数的附加相移约为 _____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入 ___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入 _____反馈。 5.乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流 ICQ =____、静态时的电源功耗 PDC=______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到 _____, 但这种功放有 ______失真。 6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在 ____区域。 二、选择正确答案填空 (24 分 ) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V , -10 V , -9.3 V ,则这只三极管是 ( ) 。 A. NPN 型硅管 B .NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D .PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为 ( ) 。 A. P 沟道增强型 MOS管 B. P 沟道结型场效应管 C. N 沟道增强型 MOS

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档