MCS51单片机的基本结构.ppt

* 单片机原理与应用 SRAM芯片地址线接到CPU地址线上，但连接方式比外部程序存储器ROM要灵活得多：CPU地址线编号与SRAM地址线编号不必一一对应；当有多个数据存储器芯片时，SRAM芯片的片选控制端 由高位地址线译码产生，可以采用全译码法、部分译码法，甚至线选法等方式连接。 SRAM数据线接到具有相同编号的CPU数据线上即可。 * 单片机原理与应用 图2-16(a) MCS-51系列单片机与SRAM存储器连接的实例之一 * 单片机原理与应用 图2-16(b) MCS-51系列单片机与SRAM存储器连接的实例之二 图2-17 MCS-51系列单片机数据存储器、扩展I/O口片选信号通用电路 * 单片机原理与应用 根据138译码器译码条件，可知各译码端对应的地址为： 8000H～83FFH 8400H～87FFH 8800H～8BFFH 8C00H～8FFFH 9000H～93FFH 9400H～97FFH 9800H～9BFFH 9C00H～9FFFH * 单片机原理与应用 图2-18 MCS-51系列单片机与数据和程序存储器的连接 * 单片机原理与应用 2.5 操作时序 MCS-51系列单片机一个机器周期由12个振荡周期组成，分为六个状态，分别称为S1、S2、S3、S4、S5、S6，每个状态都包含P1、P2两相，如图2-19所示。 振荡周期，也就是时钟周期，它是输入时钟信号频率fOSC的倒数。如果时钟信号或晶体振荡器的频率为12MHz，则振荡周期T=1/12=83ns。 状态周期，即CPU从一个状态转换到另一状态所需的时间称为状态周期，一个状态周期由一个或一个以上的时钟周期组成。在MCS-51中，一个状态周期由两个时钟周期组成。 机器周期指的是计算机完成一次完整的、基本的操作所需要的时间称为机器周期，MCS-51一个机器周期由六个状态周期组成，共12个振荡周期。 * 单片机原理与应用 2.5.1 对外部程序存储器的读操作时序 MCS-51系列单片机对外部程序存储器的读操作时序如图2-19所示，S1P2相开始后，地址锁存信号ALE有效，经过一个振荡周期T的延迟后，在S2P1开始时刻，P0、P2口分别送出低8位地址信息和高8位地址信息(即当前指令码所在的程序存储器单元地址)，再经过一个振荡周期，待P0口地址信息稳定后，ALE由高电平变为低电平，将P0口输出的低8位地址信息(A7～A0)锁存在74HC373锁存器中。因此，ALE信号有效时间(ALE信号脉冲宽度为TLHLL)为2T。 * 单片机原理与应用 图2-19 MCS-51外部程序存储器读时序 * 单片机原理与应用 2.5.2 外部数据存储器读写时序 在读写外部数据存储器时，分别由 和 信号选通外部数据存储器，操作时序如图2-20所示。 图2-20(a) MCS-51 对外部数据存储器读时序 图2-20(b) MCS-51对 外部数据存储器写时序 * 单片机原理与应用 2.5.3 6时钟/机器周期模式下的时序 8XC5XX2、89C6XX2芯片每机器周期包含的时钟周期由时钟选择寄存器CKCON 的X2 位和位于Flash ROM保密块中的时钟配置位FX2控制，如表2-5所示。这样通过修改时钟选择寄存器CKCON 的X2 位或保密块中的时钟选择位FX2来选择“6 时钟”或“12 时钟”运行模式。 FX2位状态(位于Flash ROM保密字节内) X2位状态 (CKCON.0) CPU时钟 擦除(未编程) 0(默认) 12时钟 擦除(未编程) 1 6时钟 编程 X(无效) 6时钟 表2-5 时钟配置 * 单片机原理与应用 时钟/机器周期模式下，扩展外部存储器或I/O端口从表2-5可以看出位于Flash ROM保密字节内的系统时钟配置位FX2比CKCON寄存器内的X2位优先，即当FX2位被编程（可通过并行编程器编程或擦除）后，X2位无效，系统运行在“6时钟”模式。 当FX2位未被编程时，将CKCON寄存器的X2位置1时，系统由“12时钟/机器周期”模式切换到“6 时钟/机器周期”模式，在这种情况下，时序图中各信号出现顺序不变，但时间间隔与“12时钟/机器周期”标准模式相比将减小一半，指令执行时间只有原来的1/2。因此，在6时，必须注意外部存储器芯片存取速度能否满足要求，否则必须降低时钟频率。 * 单片机原理与应用 2.6 复位及复位电路 增强型MCS-51系列单片机内部复位电路如图2-21所示，复位信号RST经内部施密特触发器整形后，进入CPU内部复位电路，