霍尔效应测磁场实验报告编辑版.docxVIP

(3 (3) 实验报告 学生姓名： 学号： 指导教师： 实验地点： 实验时间： 一、 实验室名称：霍尔效应实验室 二、 实验项目名称： 霍尔效应法测磁场 三、 实验学时： 四、实验原理: （一）霍耳效应现象 将一块半导体（或金属）薄片放在磁感应强度为 B的磁场中，并让薄片平面与磁 场方向（如Y方向）垂直。如在薄片的横向（ X方向）加一电流强度为|H的电流，那么在 与磁场方向和电流方向垂直的 Z方向将产生一电动势 UH。 如图1所示，这种现象称为霍耳效应， UH称为霍耳电压。霍耳发现，霍耳电压 UH与 电流强度Ih和磁感应强度B成正比，与磁场方向薄片的厚度 d反比，即 Uh 二 R-^^B （