电力电子技术作业1.docxVIP

(1) (1) 浙江大学远程教育学院 《电力电子技术》课程作业 1 ?把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图1-37 1 ?把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图 1-37所示 姓名： 林岩 学 号： 714066202014 年级： 14秋 学习中心： 宁波电大 图 1-37 问：（1）开关S闭合前灯泡亮不亮？ （ 2）开关S闭合后灯泡亮不亮？ （ 3）开关S闭合 段时间后再打开，断开开关后灯泡亮不亮？原因是什么？ 答： （1）不亮；（2）亮；（3）不亮，出现电压负半周后晶闸管关断。 2?在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠，可能是什么现象和原因？冬天工 作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因？ 答： 晶闸管的门极参数Igt、Ugt受温度影响，温度升高时，两者会降低，温度升高时，两 者会升高，故会引起题中所述现象。 3.型号为KP100-3 ,维持电流Ih = 4mA的晶闸管，使用在如图1-38电路中是否合理? 为什么？［分析时不占堪电丘、世流衿星j 图1-38 习题5 图1-38 习题5图 .答: Id = 0.002A =2mA ：： |h =4mA 50 10 故不能维持导通 故不能维持导通 (2) |2 15.56...ld 二 12/1.57 =9.9A ■ Ih 10.一2 而 Utm =220、2 = 311V Ur 即晶闸管的最大反向电压超过了其额定电压， 故不能正常工作 （3） Id=160/1=160A Ih lT=Id=160A 1.57 X 100=157A 故不能正常工作 4.什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？ 答： IGBT由于寄生晶闸管的影响，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能是duce/dt 过大（动态擎住效应），会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使 IGBT的漏极电流不超 过额定电流，或增加控制极上所接电阻 Rg的数值，减小关断时的 duce/dt，以避免出现擎住 现象。 第2章 出图2-57中①?⑨各保护元件及 VDf、Ld的名称及作用。(LJ为过流继电器) 图2-57三相桥式整流电路的保护 答: (1)交流进线电抗器 限流、限du/dt和di/dt (2)压敏电阻 过压保护 (3)交流侧阻容保护 过压保护 (4)桥臂电感 限du/dt (由元件换流引起)、di/dt (5)快熔 过流保护 (6)过压保护电容 限制关断过电压对兀件的损害 (7)抑振电阻 防止L、C振荡，限制电容放电电流 (8)直流侧压敏电阻 直流侧过压保护 (9)过流继电器 过流时，继电器开路，保护主电路 (10) VDf续流二极管 为负载电路提供通路，过压保护 (11) Ld平波电抗器 防止直流电流波动(断流) GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准? 答： 如以测量集电极电流Ic为过流保护原则，当leg测量误差为 Ic，则保护电路将在 集电极电流为leg+.l|e时才动作，但此时工作点已经移至线性放大区，到元件关断时已出现 高损耗，导致GTR损坏。 如以测量集射极电压 Uee作为过流保护原则，在相同的相对测量误差下， GTR工作 点移动较小，元件关断时功耗只略有增加，可保证器件安全。 设基极电流lb减小lb，当采用电流le测量的保护方式时，GTR关断时工作点已 经进入线性放大区；当采用电压Uee测量保护时，GTR关断时工作点仍在饱和区， 确保器件 安全。 GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理 如何？ 答： 缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构。 关断过程：Cs与GTR集射极并联，利用Cs两端电压不同突变的原理延缓关断时集射极 间电压Uce上升的速度，使 Uce达最大值之前集电极电流 Ic已变小，从而使关断过程瞬时功 耗变小。R是限制GTR导通时电容的放电电流。 开通过程：Ls与GTR串联，延缓了集电极电流的增长速度，且当电流急剧增大时会在 其上产生较大压降， 使得集射极电压在导通时迅速下降。 这样电压、电流出现最大值的时间 错开，关断时功耗明显减小。 1、某电阻负载要求（0?24） V直流电压，最大负载电流 Id= 30A，采用单相半波可控 整流电路。如交流采用220V直接供电与用变压器降至 60V供电是否都满足要求？试比较两 种方案的晶闸管导通角、额定电压、额定电流、整流电路功率因数以及对电源要求的容量。 答： ⑴220V供电 -0.4U -0. 4U2 1 cos 2 24 =0.45 220：=121：=v -180； 24 =0.45 220 ：=121： =v -180； -： =59； I2 占 sin2口 +2兀(兀一g) | (1 +COSG)72 sin