锑、铋及其化合物量子点的制备与性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，二维层状材料在光电子领域的研究引起了科研人员的极大兴趣， 高质量低缺陷密度的紫外发光量子点材料在发光二极管、光电探测器、激光器 等方面具有广阔的应用前景。如今饱受瞩目的二维材料因其优越的光电学性能 成为了各界关注的重心。首先进入人们视线并进行研究的是石墨烯材料，它具 有层状结构，零带隙，却因其价格高昂导致了它难以市场化运用。与半导体材 料相比，半金属性质的类石墨烯型层状材料更容易受激发吸收，辐射，研究发 现这种材料具有着更加优异的光电学性能。第五主族（VA 族）元素及其化合物 是继石墨烯、过渡金属硫族化合物之后的又一个二维材料研究热点，这些材料 同石墨烯一样拥有层状结构，有着优异的光学、电学性能，是国内外科研工作 者致力于研究的一类关键对象。在此基础上，通过物理方法制备 VA 族元素及 其化合物的量子点材料既能显著改善其发光性能又能提高量子产率，在提升材 料原有的独特性能的前提下拓展其更广泛的应用。目前，半金属材料的制备研 究相对很少，已发表的制备条件相对较为苛刻，程序繁杂，很难实现工业化应 用。本论文采用自上而下的超声法制备半金属锑、铋及其化合物的量子点，再 对其进行形貌、结构、组成、光学特性等系统的研讨，探索其潜在的应用价值。 本文采用液相超声法，分别以二维层状材料锑 （Sb ）、铋 （Bi ）、碲化锑 （Sb Te ）和硒化铋（Bi Se ）为原料，经研磨，超声，离心，制得锑量子点（Sb 2 3 2 3 QDs ）、铋量子点（Bi QDs ）、碲化锑量子点（Sb2Te3 QDs ）和硒化铋量子点 （Bi Se QDs ），再对产物进行形貌 （TEM，AFM ，SEM）、结构及组成（XRD ， 2 3 XPS ，EDS ，FTIR ）与光学性质（UV-Vis ，PL ，PLE ）等表征测试，系统分析 材料的尺寸、形貌、结构、组成及光学特性，为Sb QDs、Bi QDs、Sb2Te3 QDs 和Bi Se QDs 材料的进一步应用奠定基础。本文的主要研究内容如下： 2 3 1. 采用超声法制备的Sb QDs平均直径约为1.8 nm，平均高度约为2.0 nm ， 平均直径与平均高度相近，说明Sb QDs近似呈圆球状。Sb QDs有着优异的荧光 特性，在紫外-可见吸收光谱测试中，拥有四组吸收峰，且在可见光范围的吸收 峰强度更强；荧光光谱测试中，PL、PLE峰均发生显著红移，有较强的荧光， 在光电探测器、生物标记方面拥有很高的潜在价值。 I 摘要 2. 液相超声化学法成功制备的Bi QDs ，平均粒径大约1.3 nm，铋为六方晶 型结构材料。文中成功制备出分布均匀的量子点溶液，而且铋本身无毒且储备 丰富。从光学性质方面，可以制备尺寸可控的量子点，吸收光谱中在230 nm ， 283 nm ，613 nm，964 nm 以及1157 nm位置存在五组明显的吸收峰，且前两组 强度较其他吸收峰更强，且在光致发光谱测试中看出PL峰与PLE峰均有显著的 红移发生，发现Bi QDs有着优越的荧光效应。 3. 采用液相超声的方法来剥离原材料Sb Te ，成功制得平均粒径2.3 nm ， 2 3 平均高度1.9 nm 的六面体形的Sb Te QDs 。该方法制备的Sb Te QDs大小均匀、 2 3 2 3 分布均匀，并呈圆球状，在光学性能研究中，Sb Te QDs 的光致发光现象与激 2 3 发波长和发射波长均有关系，具有一定的依赖性，且存在明显的红移，Sb Te